MOS管 三极管 场效应 IRG4RC10S IRG4RC10SD IRG4RC10
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRG4RC10S | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 开启电压： | *（V） | |
| 夹断电压： | *（V） | |
| 跨导： | *（μS） | |
| 极间电容： | *（pF） | |
| 低频噪声系数： | *（dB） | |
| 漏极电流： | *（mA） | |
| 耗散功率： | *（mW） |
数据列表 IRG4RC10SDPbF
产品相片 TO-252-2
标准包装 2,000
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -
电压 - 集电极发射极击穿（） 600V
Vge, Ic时的Vce（开） 1.8V @ 15V, 8A
电流 - 集电极 (Ic)（） 14A
功率 - 38W
输入类型 标准型
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 带卷 (TR)
其它名称 IRG4RC10SDTRPBF-ND
IRG4RC10SDTRPBFTR
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管 三极管 场效应 IRF710PBF
信息内容：数据列表 IRF710PBF 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3.6 欧姆 @ 1.2A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 400V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 170pF @ 25V 功率 - 36W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 "
MOS管 三极管 场效应 IRFP4232PBF IRFP4232
信息内容：数据列表 IRFP4232PbF 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IR Hexfet TO-247AC 标准包装 25类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 35.7 毫欧 @ 42A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 250V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 60A Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 240nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 7290pF @ 25V 功率 - 430W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC) 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 其它名称 Q2102191
