场效应管2SK1007,增强型MOS管N沟道
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FUI日本富士通 | |
| 型号： | 2SK1007 |
| 品牌/商标 | FUI日本富士通 | 型号/规格 | 2SK1007 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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场效应管2SK1143
信息内容：品牌/商标 MIT 型号/规格 2SK1143 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
三极管70N06
信息内容：品牌/商标 哈雷斯 型号/规格 70N06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管2SA1940 TO2202SA1941 TO2202SA1943 TO2202SA539 TO2202SA562 TO2202SA562 TO2202SA564 TO2202SA608 TO2202SA634 TO2202SA669 TO2202SA683 TO2202SA684 TO2202SA708 TO2202SA715 TO2202SA720 ...
