场效应管2SK1143
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | MIT | |
| 型号： | 2SK1143 |
| 品牌/商标 | MIT | 型号/规格 | 2SK1143 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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三极管70N06
信息内容：品牌/商标 哈雷斯 型号/规格 70N06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管2SA1940 TO2202SA1941 TO2202SA1943 TO2202SA539 TO2202SA562 TO2202SA562 TO2202SA564 TO2202SA608 TO2202SA634 TO2202SA669 TO2202SA683 TO2202SA684 TO2202SA708 TO2202SA715 TO2202SA720 ...
场效应管2SK2021
信息内容：品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK2021 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管2SC3264合230V 17A 200W2SC3264230V 17A 200W2SA1295合230V 17A 200W2SA1295230V 17A 200W2SC3858合200V 17A 200W2SC3858200V 17A 200W2SA1494合200V 17A 200W2SA1494200V 17A 200W2SC2922合...
