价 格: | 面议 | |
品牌: | 哈雷斯 | |
型号: | 70N06 |
品牌/商标 | 哈雷斯 | 型号/规格 | 70N06 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 0(V) | 夹断电压 | 0(V) |
低频跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 0(pF) |
低频噪声系数 | 0(dB) | 漏极电流 | 0(mA) |
耗散功率 | 0(mW) |
供应一系列三极管
2SA1940 | TO220 | |
2SA1941 | TO220 | |
2SA1943 | TO220 | |
2SA539 | TO220 | |
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品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK2021 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 供应一系列三极管2SC3264合230V 17A 200W2SC3264230V 17A 200W2SA1295合230V 17A 200W2SA1295230V 17A 200W2SC3858合200V 17A 200W2SC3858200V 17A 200W2SA1494合200V 17A 200W2SA1494200V 17A 200W2SC2922合...
品牌/商标 IR 型号/规格 94-2355 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 供应一系列三极管2SA1020 TO2202SA1072 TO2202SA1075 TO2202SA1091 TO2202SA1091 TO2202SA1094 TO2202SA1095 TO2202SA1111 TO2202SA1133 TO2202SA1145 TO2202SA114 TO2202SA1152 TO2202SA1156 TO2202SA1160 TO2202SA1186 TO2202SA1186 TO2202SA1205 TO2202SA1207 TO2202SA1208 ...