价 格: | 面议 | |
品牌: | 富士通 | |
型号: | 2SK2021 |
品牌/商标 | 富士通 | 型号/规格 | 2SK2021 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 0(V) | 夹断电压 | 0(V) |
低频跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 0(pF) |
低频噪声系数 | 0(dB) | 漏极电流 | 0(mA) |
耗散功率 | 0(mW) |
供应一系列三极管
2SC3264合 | 230V 17A 200W |
2SC3264 | 230V 17A 200W |
2SA1295合 | 230V 17A 200W |
2SA1295 | 230V 17A 200W |
2SC3858合 | 200V 17A 200W |
2SC3858 | 200V 17A 200W |
2SA1494合 | 200V 17A 200W |
2SA1494 | 200V 17A 200W |
2SC2922合 | 180 17A 200W |
2SC2922 | 180 17A 200W |
2SA1216合 | 180 17A 200W |
2SA1216 | 180 17A 200W |
2SC2921合 | 160V 15A 150W |
2SC2921 | 160V 15A 150W |
2SA1215合 | 160V 15A 150W |
2SA1215 | 160V 15A 150W |
品牌/商标 IR 型号/规格 94-2355 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 供应一系列三极管2SA1020 TO2202SA1072 TO2202SA1075 TO2202SA1091 TO2202SA1091 TO2202SA1094 TO2202SA1095 TO2202SA1111 TO2202SA1133 TO2202SA1145 TO2202SA114 TO2202SA1152 TO2202SA1156 TO2202SA1160 TO2202SA1186 TO2202SA1186 TO2202SA1205 TO2202SA1207 TO2202SA1208 ...
品牌/商标 东芝 型号/规格 2SK1351 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 供应一系列三极管2SK8752SK8722SK8512SK8502SK8332SK7992SK7982SK7942SK7932SK7922SK7902SK7892SK7872SK7852SK7842SK6852SK7352SK7272SK7252SK7242SK7202SK7192SK7072SK7032SK7022SK6442SK6432SK6412SK6232SK5...