价 格: | 2.80 | |
品牌/商标: | Wisdom | |
型号/规格: | WFP75N75 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
低频噪声系数: | 0.1 | |
低频跨导: | 0.1 | |
漏极电流: | 0.1 |
韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理
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WFP75N75 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
∗ 75A,75V,RDS(on)=0.015Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
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"韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货长期供应全新场效应管场效应管7N65 质量保证.随时有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电7N65 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。∗ 7A,650V,RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快dzsc/19/0549/19054963.jpg7N65 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。∗ 7A,650V,RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快
PROGRAMMABLE PRECISION REFERENCEFEATURES*Programmable output voltage to 36V*Low dynamic output impedance 0.2ohm*Sink current capability of 1.0 to 100mA*Equivalent full-range temperature coefficient of 50ppm/℃typical for operation over full rated operating temperature rangeAPPLICATIONS*Shunt regulator,Series regulator,Switching regulator,Voltage reference and others.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Tamb=250CSymbol Rating UnitVKA 37 V PIN:Cathode Current Range(Continuous) IKA -100~ 150 mA STYLEReference Input Current range IREF -0.05~ 10 mAOperating Junction Temperature Tj 150 ℃Topr 0~ 70 ℃Tstg -65~150 ℃RECOMMENDED OPERATING CONDITIONSSymbol Min Typ MAX UNITCathode Voltage VKA VREF 36 VCathode Current IKA 1 100 mAELECTRICAL CHARACTERISTICS at Tamb=250CSymbol Min Typ Max Unit2.483 2.495 2.507 VTL431 1% 2.47 2.495 2.52 VTL431 2% 2.44 2.495 2.55 V⊿Vref /⊿T4.5 17 mV⊿Vref /⊿VKA-1 -2.7 mV/V⊿Vref /⊿VKA-0.5 -2 mV/VIref 1.5 4 uA⊿Iref /⊿T0.4 1.2 uAIKA(min) 0.45 1 mAIKA(OFF) 0.05 1.0 ...