场效应管 FQB9N50 / FQB9N50TM / FQB9N50C / 9N50
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | FQB9N50 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 5（V） | |
| 极间电容： | 1450（pF） | |
| 漏极电流： | 9,000（mA） | |
| 耗散功率： | 3,130（mW） |
FQB9N50中文资料：
制造商 | Fairchild Semiconductor |
制造商零件编号 | FQB9N50TM |
描述 | MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | QFET™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 730毫欧 @ 4.5A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A |
Id时的 Vgs(th)（） | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1450pF @ 25V |
功率 - | 3.13W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D²PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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场效应管 IPB04N03LA / IPB04N03 / 04N03
信息内容：IPB04N03LA中文资料: 制造商Infineon Technologies制造商零件编号IPB04N03LA描述MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列OptiMOS™FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C3.9毫欧 @ 55A, 10V漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80AId时的 Vgs(th)（）2V @ 60µA闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)3877pF @ 15V功率 - 107W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装PG-TO263-3包装带卷 (TR) 公司照片：dzsc/19/0549/19054938.jpgdzsc/19/0549/19054938.jpgdzsc/19/0549/19054938.jpgdzsc/19/0549/19054938.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线）； 商务QQ：120279071 MSN：jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机：13590258862/13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
场效应管IRF3711/F3711S
信息内容：dzsc/19/0559/19055902.jpgdzsc/19/0559/19055902.jpgdzsc/19/0559/19055902.jpgdzsc/19/0559/19055902.jpgdzsc/19/0559/19055902.jpgdzsc/19/0559/19055902.jpgdzsc/19/0559/19055902.jpgdzsc/19/0559/19055902.jpg1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。
