价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | INFINEON/英飞凌 | |
型号/规格: | IPB04N03LA | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2(V) | |
极间电容: | 3877(pF) | |
漏极电流: | 80,000(mA) | |
耗散功率: | 107,000(mW) |
IPB04N03LA中文资料:
制造商 | Infineon Technologies |
制造商零件编号 | IPB04N03LA |
描述 | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | OptiMOS™ |
FET型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C | 3.9毫欧 @ 55A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A |
Id时的 Vgs(th)() | 2V @ 60µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 32nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 3877pF @ 15V |
功率 - | 107W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片:
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IRG4BC20UD中文资料: 制造商International Rectifier制造商零件编号IRG4BC20UD-STRR描述DIODE IGBT 600V 13A COPAK D2PAK类别分离式半导体产品家庭IGBT -单路系列-IGBT类型-电压 - 集电极发射极击穿()600VVge, Ic时的Vce(开)2.1V @ 15V, 6.5A电流 - 集电极 (Ic)()13A功率 - 60W输入类型标准型安装类型表面贴装 封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR) 公司照片:dzsc/19/0567/19056703.jpgdzsc/19/0567/19056703.jpgdzsc/19/0567/19056703.jpgdzsc/19/0567/19056703.jpg备注:1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。 订购及咨询:深圳市丰尔电子有限公司电话:0755-83687516(7线)商务QQ:120279071MSN: jason-yufo@hotmail.comE-mail:yufo_ic@163.com手机: 13590258862 / 13531791171更多详情请登录我们的网站:http://www.yufo-ic.cn/