品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFR5305TRPBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | C-MIC/电容话筒专用 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
开启电压 | 55(V) | 夹断电压 | 31(V) |
极间电容 | 1200(pF) | 漏极电流 | 10(mA) |
耗散功率 | 110(mW) |
品牌/商标 IR美国国际整流器 型号/规格 IRFP22N50APBF 应用范围 达林顿 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 截止频率fT 18(MHz) 集电极允许电流ICM 3(A) 集电极耗散功率PCM 80(W) 营销方式 厂家直销 产品性质 热销
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR024NTRPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 55(V) 夹断电压 55(V) 跨导 18(μS) 极间电容 1800(pF) 低频噪声系数 13(dB) 漏极电流 7(mA) 耗散功率 45(mW) IRFR024NPbF, IRFU024NPbF产品相片DPAK Pkg产品目录绘图IR Hexfet DPak标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金...