价 格: | 面议 | |
型号/规格: | SSM6K34TU | |
品牌/商标: | TOSHIBA(东芝) | |
封装形式: | SOT-323-6 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 3000/盘 |
SSM6K34TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N场,30V,3A,0.077Ω,带二极静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)
应用:
* 高电流开关应用
* 电源管理开关应用
特点:
* 4.5V驱动器
* 低导通电阻:Ron = 77 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
:Ron = 50 mΩ (max) (@VGS = 10 V)
产品型号:SSM6K34TU
封装:SOT-323-6
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):3
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.077 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):470 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):6.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):8.3 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6K34TU,30V,3A N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
SSM6K411TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N场,20V,10A,0.012Ω TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * 电源管理开关应用 * 高速开关应用 特点: * 2.5V驱动器 * 低导通电阻:RDS(ON) = 23.8 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) :RDS(ON) = 14.3 mΩ (max) (@VGS = 3.5 V) :RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V 产品型号:SSM6K411TU 封装:SOT-323-6 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):1.2 功率PD(W):1 输入电容Ciss(PF):710 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):13 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):32 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):23 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6K411TU,20V,10A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
SSM5H16TU,TOSHIBA,SOT-323-5,SMD/MOS,N场,30V,1.9A,0.133Ω 产品型号:SSM5H16TU 封装:SOT-323-5 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):1.9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.133 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):123 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):3.9 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9.2 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):6.4 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM5H16TU,30V,1.9A,0.133Ω N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)