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供应 场效应管 SSM6K34TU SSM6K407TU

价 格: 面议
型号/规格:SSM6K34TU
品牌/商标:TOSHIBA(东芝)
封装形式:SOT-323-6
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:3000/盘

SSM6K34TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N场,30V,3A,0.077Ω,带二极静电保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)

应用:
 * 高电流开关应用
 * 电源管理开关应用

特点:
 * 4.5V驱动器
 * 低导通电阻:Ron = 77 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
             :Ron = 50 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

产品型号:SSM6K34TU

封装:SOT-323-6

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):3

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.077 @VGS = 4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):470 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):6.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):8.3 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6K34TU,30V,3A N-沟道增强型场效应晶体管

 

(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)

 

 

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 电话:0755-82814431/82814432
  • 传真:0755-83957820
  • 手机:15914096884
  • QQ :QQ:4006262666QQ:2355799086QQ:2355799092
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信息内容:

SSM6K411TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N场,20V,10A,0.012Ω TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * 电源管理开关应用 * 高速开关应用 特点: * 2.5V驱动器 * 低导通电阻:RDS(ON) = 23.8 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) :RDS(ON) = 14.3 mΩ (max) (@VGS = 3.5 V) :RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V 产品型号:SSM6K411TU 封装:SOT-323-6 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):1.2 功率PD(W):1 输入电容Ciss(PF):710 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):13 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):32 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):23 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6K411TU,20V,10A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

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SSM5H16TU,TOSHIBA,SOT-323-5,SMD/MOS,N场,30V,1.9A,0.133Ω 产品型号:SSM5H16TU 封装:SOT-323-5 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):1.9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.133 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):123 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):3.9 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9.2 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):6.4 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM5H16TU,30V,1.9A,0.133Ω N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

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