供应 场效应管 SSM6K411TU SSM6K403TU
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM6K411TU | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-323-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM6K411TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N场,20V,10A,0.012Ω
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
应用:
* 电源管理开关应用
* 高速开关应用
特点：
* 2.5V驱动器
* 低导通电阻：RDS(ON) = 23.8 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
：RDS(ON) = 14.3 mΩ (max) (@VGS = 3.5 V)
：RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V
产品型号:SSM6K411TU
封装:SOT-323-6
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):1.2
功率PD(W):1
输入电容Ciss(PF):710 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：13
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):32 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):23 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6K411TU,20V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM5H16TU SSM5H90TU
信息内容：SSM5H16TU,TOSHIBA,SOT-323-5,SMD/MOS,N场,30V,1.9A,0.133Ω 产品型号:SSM5H16TU 封装:SOT-323-5 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):1.9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.133 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):123 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：3.9 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9.2 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):6.4 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM5H16TU,30V,1.9A,0.133Ω N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 SSM6N29TU SSM6N36TU
信息内容：SSM6N29TU,SOT-323-6,SMD/MOS,双N,20V,0.8A,0.143Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 应用: * High Speed Switching Applications/高速开关应用 特点： * 1.8 V驱动器 * 双N沟道 * 低导通电阻：Ron = 235 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) : Ron = 178 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 143 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V) 产品型号:SSM6N29TU 封装:SOT-323-6 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):0.8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.143 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):268 typ. 通道极性:双N沟道 低频跨导gFS(s)：3.75 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6N29TU,20V,0.8A 双N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区...
