供应 场效应管 SSM6N29TU SSM6N36TU
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM6N29TU | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-323-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM6N29TU,SOT-323-6,SMD/MOS,双N,20V,0.8A,0.143Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
应用:
* High Speed Switching Applications/高速开关应用
特点：
* 1.8 V驱动器
* 双N沟道
* 低导通电阻：Ron = 235 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
: Ron = 178 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
: Ron = 143 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)
产品型号:SSM6N29TU
封装:SOT-323-6
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):0.8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.143 @VGS = 4 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):268 typ.
通道极性:双N沟道
低频跨导gFS(s)：3.75
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6N29TU,20V,0.8A 双N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 场效应管 SSM6N36FE SSM6N16FE
信息内容：新到TOSHIBA/东芝系列SOT-323，SOT-23，SOT-416 SOT-563，SOT-723，SOT-883，CST4，UDFN6B，UDFN6 等小体积MOS,带二极静电保护，用于锂电保护,航模电调，无刷电机，移动电源，手机等应用，全新原装，现货供应，欢迎咨询。 SSM6N36FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,20V,0.5A,0.63Ω SSM6N16FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,20V,0.1A,3Ω 产品型号:SSM6N36FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 特点： * 1.5-V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) : Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) : Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V) 封装:SOT-563 品牌：TOSHIBA/东芝 通道极性:双N沟道 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20V 夹断电压VGS(V):±10 漏极电流Id(A):0.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.15 ...
供应 场效应管 2SK4101 2SK4101LS 2SK4101FS
信息内容：2SK4101LS,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,7A,1.1Ω 特点 * 低导通电阻，低输入电容，超高速开关。 * 高可靠性（通过HVP过程）。 * 的附件可操作性是由云母包好。 * 雪崩电阻的保证。 产品型号:2SK4101LS 通用开关设备应用 封装:TO-220F 品牌：SANYO/三洋 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):7 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):750 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):289 导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):89 typ. 下降时间Tf(ns):31 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SK4101LS 650V,7A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关...
