供应 场效应管 SSM6N36FE SSM6N16FE
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM6N36FE | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-563-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 4000/盘 |
新到TOSHIBA/东芝系列SOT-323，SOT-23，SOT-416
SOT-563，SOT-723，SOT-883，CST4，UDFN6B，UDFN6
等小体积MOS,带二极静电保护，用于锂电保护,航模电调，无刷电机，移动电源，手机等应用，全新原装，现货供应，欢迎咨询。
SSM6N36FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,20V,0.5A,0.63Ω
SSM6N16FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,20V,0.1A,3Ω
产品型号:SSM6N36FE
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type
应用:
* 高速开关应用
特点：
* 1.5-V驱动器
* 低导通电阻：Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
: Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V)
: Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
: Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V)
: Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V)
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
通道极性:双N沟道
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20V
夹断电压VGS(V):±10
漏极电流Id(A):0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = -4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):46 typ.
低频跨导gFS(ms)：840
导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6N36FE,20V/20V,0.5A/0.5A,0.63Ω 双N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 2SK4101 2SK4101LS 2SK4101FS
信息内容：2SK4101LS,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,7A,1.1Ω 特点 * 低导通电阻，低输入电容，超高速开关。 * 高可靠性（通过HVP过程）。 * 的附件可操作性是由云母包好。 * 雪崩电阻的保证。 产品型号:2SK4101LS 通用开关设备应用 封装:TO-220F 品牌：SANYO/三洋 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):7 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):750 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):289 导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):89 typ. 下降时间Tf(ns):31 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SK4101LS 650V,7A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关...
供应 场效应管 SSM6P36FE SSM6P16FE SSM6P15FE
信息内容：SSM6P36FE,SOT-563(1.6*1.6),SMD/MOS,双P,-20V,-0.33A,1.31Ω,带ESD二极静电保护 产品型号:SSM6P36FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 应用: * Power Management Switches/电源管理开关 特点： * 1.5-V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 3.60 Ω (max) (@VGS = -1.5 V) ：Ron = 2.70 Ω (max) (@VGS = -1.8 V) ：Ron = 1.60 Ω (max) (@VGS = -2.8 V) ：Ron = 1.31 Ω (max) (@VGS = -4.5 V) 封装:SOT-563 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-0.33 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.31 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):43 typ. 通道极性:双P 低频跨导gFS(ms)：190 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):90 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):200 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6P36FE,-20V,-0.33A 双P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,...
