供应 场效应管 SSM6L36FE
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM6L36FE | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-563-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 4000/盘 |
新到TOSHIBA/东芝系列SOT-323，SOT-23，SOT-416
SOT-563，SOT-723，SOT-883，CST4，UDFN6B，UDFN6
等小体积MOS,带二极静电保护，用于锂电保护,航模电调，无刷电机，移动电源，手机等应用，全新原装，现货供应，欢迎咨询。
SSM6L36FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N+P,20V/-20V,0.5A/-0.33A,0.66Ω
产品型号:SSM6L36FE
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type
应用:
* 高速开关应用
* 模拟开关应用
特点：
* 1.5-V驱动器
* 低导通电阻：Q1 Nch: Ron = 1.52Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
Ron = 1.14Ω (max) (@VGS = 1.8 V)
Ron = 0.85Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
Ron = 0.66Ω (max) (@VGS = 4.5 V)
Ron = 0.63Ω (max) (@VGS = 5.0 V)
Q2 Pch: Ron = 3.60Ω (max) (@VGS = -1.5 V)
Ron = 2.70Ω (max) (@VGS = -1.8 V)
Ron = 1.60Ω (max) (@VGS = -2.8 V)
Ron = 1.31Ω (max) (@VGS = -4.5 V)
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
通道极性:N+P沟道
N-MOSFET:
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20V
夹断电压VGS(V):±10
漏极电流Id(A):0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):46 typ.
低频跨导gFS(ms)：840
导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.
P-MOSFET:
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20V
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-0.33
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.31 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):43 typ.
低频跨导gFS(ms)：190
导通延迟时间Td(on)(ns):90 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):200 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6L36FE,20V/-20V,0.5A/-0.33A,0.66Ω N+P-沟道增强型场效应晶体管
(深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
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- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 SSM6L39TU SSM6L12TU SSM6L11TU
信息内容：SSM6L11TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N+P,20V/-20V,0.5A/-0.5A,0.145Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type 产品型号:SSM6L11TU 应用: * 高速开关应用 特点： * 最适用于高密度安装在小包装 * 低导通电阻：Q1: RDS(ON) = 395mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Q2: RDS(ON) = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 封装:SOT-323-6 品牌：TOSHIBA/东芝 通道极性:N+P沟道 N-MOSFET 技术参数： 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20V 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):0.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.145 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):1.1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):268 typ. 低频跨导gFS(s)：2.4 导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. P-MOSFET 技术参数： 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20V 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):-0.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.1 功率PD(W):0.5 ...
供应 场效应管 SSM4K27CT
信息内容：SSM4K27CT,TOSHIBA,CST4,SMD/MOS,N场,20V,0.5A,0.205Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅢ) 应用: * 高电流开关应用 * 电源管理开关应用 特点： * 低导通电阻：Ron = 205 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V) ：Ron = 260 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) ：Ron = 390 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) 产品型号:SSM4K27CT 封装:CST4 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):0.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.205 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1.1 功率PD(W):0.4 输入电容Ciss(PF):174 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：1.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):16.4 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM4K27CT,20V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
