供应 场效应管 SSM6L39TU SSM6L12TU SSM6L11TU
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM6L39TU | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-563-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM6L11TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N+P,20V/-20V,0.5A/-0.5A,0.145Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type
产品型号:SSM6L11TU
应用:
* 高速开关应用
特点：
* 最适用于高密度安装在小包装
* 低导通电阻：Q1: RDS(ON) = 395mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
Q2: RDS(ON) = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
封装:SOT-323-6
品牌：TOSHIBA/东芝
通道极性:N+P沟道
N-MOSFET 技术参数：
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20V
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.145 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):1.1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):268 typ.
低频跨导gFS(s)：2.4
导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
P-MOSFET 技术参数：
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20V
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):-0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):-1.1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):218 typ.
低频跨导gFS(s)：1.3
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6L11TU,20V/-20V,0.5A/-0.5A,0.145Ω N+P-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM4K27CT
信息内容：SSM4K27CT,TOSHIBA,CST4,SMD/MOS,N场,20V,0.5A,0.205Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅢ) 应用: * 高电流开关应用 * 电源管理开关应用 特点： * 低导通电阻：Ron = 205 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V) ：Ron = 260 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) ：Ron = 390 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) 产品型号:SSM4K27CT 封装:CST4 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):0.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.205 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1.1 功率PD(W):0.4 输入电容Ciss(PF):174 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：1.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):16.4 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM4K27CT,20V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 SSM6K34TU SSM6K407TU
信息内容：SSM6K34TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N场,30V,3A,0.077Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) 应用: * 高电流开关应用 * 电源管理开关应用 特点： * 4.5V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 77 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) ：Ron = 50 mΩ (max) (@VGS = 10 V) 产品型号:SSM6K34TU 封装:SOT-323-6 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):3 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.077 @VGS = 4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):470 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：6.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):8.3 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6K34TU,30V,3A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
