供应 场效应管 SSM6N24TU SSM6N25TU
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM6N24TU | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-323-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM6N24TU,SOT-323-6,SMD/MOS,双N,30V,0.5A,0.145Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
应用:
* High Speed Switching Applications/高速开关应用
特点：
* 紧凑型封装，适用于高密度安装
* 低导通电阻：Ron = 145mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
: Ron = 180mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
产品型号:SSM6N24TU
封装:SOT-323-6
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.145 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):1.1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):245 typ.
通道极性:双N沟道
低频跨导gFS(s)：2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6N24TU,双N,30V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 场效应管 SSM6L36FE
信息内容：新到TOSHIBA/东芝系列SOT-323，SOT-23，SOT-416 SOT-563，SOT-723，SOT-883，CST4，UDFN6B，UDFN6 等小体积MOS,带二极静电保护，用于锂电保护,航模电调，无刷电机，移动电源，手机等应用，全新原装，现货供应，欢迎咨询。 SSM6L36FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N+P,20V/-20V,0.5A/-0.33A,0.66Ω 产品型号:SSM6L36FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 * 模拟开关应用 特点： * 1.5-V驱动器 * 低导通电阻：Q1 Nch: Ron = 1.52Ω (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 1.14Ω (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 0.85Ω (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 0.66Ω (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63Ω (max) (@VGS = 5.0 V) Q2 Pch: Ron = 3.60Ω (max) (@VGS = -1.5 V) Ron = 2.70Ω (max) (@VGS = -1.8 V) Ron = 1.60Ω (max) (@VGS = -2.8 V) Ron = 1.31Ω (max) (@VGS = -4.5 V) 封装:SOT-563...
供应 场效应管 SSM6L39TU SSM6L12TU SSM6L11TU
信息内容：SSM6L11TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N+P,20V/-20V,0.5A/-0.5A,0.145Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type 产品型号:SSM6L11TU 应用: * 高速开关应用 特点： * 最适用于高密度安装在小包装 * 低导通电阻：Q1: RDS(ON) = 395mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Q2: RDS(ON) = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 封装:SOT-323-6 品牌：TOSHIBA/东芝 通道极性:N+P沟道 N-MOSFET 技术参数： 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20V 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):0.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.145 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):1.1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):268 typ. 低频跨导gFS(s)：2.4 导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. P-MOSFET 技术参数： 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20V 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):-0.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.1 功率PD(W):0.5 ...
