价 格: | 1.00 | |
型号/规格: | IRF9Z24N | |
品牌/商标: | IR美国国际整流器公司 | |
封装形式: | P-DIT/塑料双列直插 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特征: | |
品牌:IR美国国际整流器公司 | 型号:IRF9Z24NPBF | 种类:结型(JFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 |
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压:60(V) |
夹断电压:60(V) | 跨导:3(μS) | 极间电容:8(pF) |
低频噪声系数:8(dB) | 漏极电流:8(mA) | 耗散功率:5(mW) |
电话:13602373598
公司网址:www.dgjinsilai.com
品牌:NIP日本日电 型号:2SJ411 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:8(μS) 极间电容:9(pF) 低频噪声系数:3(dB) 漏极电流:6(mA) 耗散功率:8(mW) 电话:13602373598 公司网址:www.dgjinsilai.com
品牌:NIP日本日电 型号:2SJ460 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:50(V) 夹断电压:50(V) 跨导:8(μS) 极间电容:9(pF) 低频噪声系数:3(dB) 漏极电流:9(mA) 耗散功率:2(mW) 电话:13602373598 公司网址:www.dgjinsilai.com