价 格: | 0.50 | |
型号/规格: | 2SJ460 | |
品牌/商标: | NIP日本日电 | |
封装形式: | P-DIT/塑料双列直插 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特征: | |
品牌:NIP日本日电 | 型号:2SJ460 | 种类:结型(JFET) |
沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 |
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:GE-P-FET锗P沟道 | 开启电压:50(V) |
夹断电压:50(V) | 跨导:8(μS) | 极间电容:9(pF) |
低频噪声系数:3(dB) | 漏极电流:9(mA) | 耗散功率:2(mW) |
电话:13602373598
公司网址:www.dgjinsilai.com
品牌:TOS日本东芝 型号:2SJ512 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:250(V) 夹断电压:250(V) 跨导:3(μS) 极间电容:7(pF) 低频噪声系数:3(dB) 漏极电流:8(mA) 耗散功率:2(mW) 电话:13602373598 公司网址:www.dgjinsilai.com
品牌:TOS日本东芝 型号:2SJ504 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:100(V) 夹断电压:100(V) 跨导:3(μS) 极间电容:8(pF) 低频噪声系数:4(dB) 漏极电流:8(mA) 耗散功率:2(mW) 电话:13602373598 公司网址:www.dgjinsilai.com