供拆机IGBT管GT50J322，GT50J327
| 价 格： | 7.50 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | GT50J322,GT50J327 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 1000（V） | 夹断电压 | 1000（V） |
| 低频跨导 | 35（μS） | 极间电容 | 35（pF） |
| 低频噪声系数 | 35（dB） | 漏极电流 | 50（mA） |
| 耗散功率 | 280（mW） |
供拆机IGBT管GT50J322，GT50J327
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- 所属城市：广东 汕头
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安规电容275V/0.1UF
信息内容：品牌/商标 进口 型号/规格 104/275V，224/275V，374/275V 介质材料 有机薄膜 应用范围 调谐 外形 方块状 功率特性 大功率 频率特性 超高频 调节方式 固定 引线类型 轴向引出线 允许偏差 ±5（%） 耐压值 275（V） 等效串联电阻(ESR) //（mΩ） 标称容量 /（uF） 损耗 / 额定电压 /（V） 绝缘电阻 /（mΩ） 温度系数 / 现货供应各种规格安规电容器，欢迎订购0.1UF/275V 脚距10MM 环保 供应安规电容2...
场效应管IXGH50N60
信息内容：品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXGH50N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HI-REL/高可靠性 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 0.018（μS） 极间电容 3900（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 75（mA） 耗散功率 400（mW） IXGH50N60供应场效应管IXGH50N60供应场效应管IXGH50N60供应场效应管IXGH50N60 供应场效应管IXGH50N60供应场效应管IXGH50N60供应场效应管IXGH50N60供应场效应管IXGH50N60供应...
