场效应管IXGH50N60
| 价 格： | 6.50 |
| 品牌/商标 | IXY美国电报半导体 | 型号/规格 | IXGH50N60 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | HI-REL/高可靠性 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 低频跨导 | 0.018（μS） | 极间电容 | 3900（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 75（mA） |
| 耗散功率 | 400（mW） |
IXGH50N60
供应场效应管IXGH50N60
供应场效应管IXGH50N60
供应场效应管IXGH50N60
供应场效应管IXGH50N60
供应场效应管IXGH50N60
供应场效应管IXGH50N60
供应场效应管IXGH50N60
供应场效应管IXGH50N60
供应场效应管IXGH50N60
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王小芸
- 电话：0754-82331186
- 传真：0754-82331186
- 手机：
- QQ ：
K1120,K794,K2077,K2038结型场效应管N沟道
信息内容：品牌/商标 TOS 型号/规格 K1120,2SK1120 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 本产品为拆机件,长年供应拆机,散新电源管,开关,功率三极管,场效应管和电源,充电器配件,包装方式有管装盒装,欢迎新老客户咨询与订购,保质保量.电话：0754-82331186。QQ：728429602，手机15989726056
品牌 TOS日本东芝型号 2SK2749,K2749 种类结型(JFET)
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK2749,K2749 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 AM/调幅 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 241（V） 夹断电压 4242（V） 低频跨导 42424（μS） 极间电容 42424（pF） 低频噪声系数 424（dB） 漏极电流 424（mA） 耗散功率 424242（mW）
