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深圳公司现货IR/LED驱动MOS管SOP-8原装IR2184STRPBF场效应管

价 格: 4.30
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:IR2184STRPBF
封装外形:SMD(SO)/表面封装
品牌/商标:IR/国际整流器
用途:MOS-HBM/半桥组件
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
电压 - 电源:10 V ~ 20 V
高压侧电压 - 值:600V
电流 - 峰值:1.9A

特点
浮动通道设计为引导操作
全面运作,以 600 V
负瞬态电压
dV / dt的免疫
10日至20V栅极驱动电压范围
两个通道欠压锁定
3.3V和5V输入逻辑兼容
两个通道匹配传播延迟
逻辑与电源地 / - 5V的偏移量。
获得更好的噪声免疫力降低的di / dt栅极驱动器
输出源出/吸入电流能力1.4A/1.8A


描述
IR2184(4)(S)是高电压,
高速功率MOSFETIGBT
依赖和低驱动程序
侧参考输出通道PRO-
专有的HVIC和锁存免疫
CMOS技术使耐用的
dized单片式结构。
逻辑输入标准兼容
CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V
逻辑。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级设计forminimum驱动器跨导浮动通道可以被用来驱动一个N-沟道功率MOSFET或
IGBT在高配置的可在高达600伏

封装图片展示
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深圳四海联创电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 柯创林
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12+深圳公司现货IR功率MOS管SOP-8原装IRF7452QTRPBF场效应管

信息内容:

开关电源MOSFET 参数FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能 标准漏源极电压 (Vdss) 100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 4.5A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 60 毫欧 @ 2.7A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 50nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 930pF @ 25V功率 - 值 2.5W描述专为汽车应用而设计的,这些HEXFET®功率MOSFET的SO-8封装的利用的加工技术,以实现极低的导通电阻每硅片面积。这些附加功能。汽车合格HEXFET功率MOSFET的是一个150°C交界处的工作温度,开关速度快和改进型重复雪崩额定值。这些好处结合起来,使这个设计一个非常有效和可靠的装置在汽车应用中使用广泛各种其他应用程序。有效率的SO-8封装,提供了增强的热特性使得它在各种电源应用的理想选择。这种表面贴装的SO-8可以显着减少电路板空间,也可在磁带和卷轴。封装图片展示dzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpg"

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深圳公司现货IR/LED驱动MOS管SOP-8原装IR2111STRPBF场效应管

信息内容:

MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关参数配置 (高端和低端,同步)输入类型 (非反相)延迟时间 (750ns)电流 - 峰值 (250mA)配置数 (1)输出数 (2)高压侧电压 - 值(自举) ( 600V)电压 - 电源 (10 V ~ 20 V)工作温度 (-40°C ~ 125°C)特点浮动通道设计为引导操作全面运作,以 600 V耐负瞬态电压dV / dt的免疫从10日至20V的栅极驱动电压范围两个通道欠压锁定CMOS施密特触发器输入端采用下拉两个通道的匹配传播延迟内部设置死区时间相高侧输出与输入也可用LEAD-FREE描述IR2111(S)是一种高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,依赖高低侧参考输出通道设计为半桥应用。专有HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容标准CMOS输出。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计驱动器跨导。内部死区时间避免直通输出半桥式。“浮动通道可用来驱动的的N-channelpowerMOSFET或IGBT在高侧配置的可在高达600伏。封装图片展示dzsc/19/0798/19079805.jpgdzsc/19/0798/19079805.jpgdzsc/19/0798/19079805.jpgdzsc/19/0798/19079805.jpgdzsc/19/0798/19079805.jpgdzsc/19/0798/19079805.jpg

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