价 格: | 2.60 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IR2111STRPBF | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | TR/激励、驱动 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装: | SOP-8 | |
高压侧电压 - 值: | 600V | |
电压 - 电源: | 10 V ~ 20 V |
MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
参数
配置 (高端和低端,同步)
输入类型 (非反相)
延迟时间 (750ns)
电流 - 峰值 (250mA)
配置数 (1)
输出数 (2)
高压侧电压 - 值(自举) ( 600V)
电压 - 电源 (10 V ~ 20 V)
工作温度 (-40°C ~ 125°C)
特点
浮动通道设计为引导操作
全面运作,以 600 V
耐负瞬态电压
dV / dt的免疫
从10日至20V的栅极驱动电压范围
两个通道欠压锁定
CMOS施密特触发器输入端采用下拉
两个通道的匹配传播延迟
内部设置死区时间
相高侧输出与输入
也可用LEAD-FREE
描述
IR2111(S)是一种高电压,高速功率
MOSFET和IGBT驱动器,依赖高
低侧参考输出通道设计为半
桥应用。专有HVIC和锁存
免疫CMOS技术使坚固耐用
单片式结构。逻辑输入兼容
标准CMOS输出。输出驱动器具有
高脉冲电流缓冲级,设计
驱动器跨导。内部死区时间
避免直通输出半桥式。“
浮动通道可用来驱动的的N-channelpowerMOSFET或IGBT在高侧配置的可在高达600伏。
封装图片展示
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深圳四海联创电子科技有限公司是一家分销国内外知名品牌电子元器件的科技公司。本公司以“优越的产品质量、优惠的价格、稳定的货源、真诚的服务态度”,常年备有大量全新原装现货和良好的进货渠道,品种齐全,具有特强的能力为各大客户和厂商进行综合性电子元器件配套服务。 公司经营产品广泛:存储IC、通讯IC、驱动IC、放大IC、内存、闪存、等IC集成电路。开关管、PIN管、整流管、肖特基管、变容管、稳压管、高频管、音频管、射频管、场效应管、达林顿管、复合管、带阻管、闸流管、微波管、大小中功率管等系列贴片二、三极管。钽电容、电容、电阻、电感、磁珠、发光管等各系列贴片电子元件。 经营品牌:MITSUMI、FUJITSU、ATMEL.RICOH、NEC、ON、AGAMEM、PIXEL、ROHM、JRC、 PHILIPS、INFINEON、 TDK、FAIRCHILD、ROHM、ON、VISHAY、TOSHIBA、TOREX、SEMTECH、SEIKO、NEC、KEC、ST、NSC、JRC、TI、HITACHI、AD、SONY、ZETEX、IR、LT、AGILENT、MAXIM、INLINX、ALTERA、等国内外各大品牌。 产品广泛应用于民用、工业、军事领域的网络、数码,仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、LED照明,监控摄像头等。 随着科学技术的进步与发展,公司所有产品实行ROHS指令...
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能 逻辑电平门漏源极电压 (Vdss) 30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 未能识别不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 30 毫欧 @ 7A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 27nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 550pF @ 25V功率 - 值 2.5W公司简介深圳四海联创电子科技有限公司是一家分销国内外知名品牌电子元器件的科技公司。本公司以“优越的产品质量、优惠的价格、稳定的货源、真诚的服务态度”,常年备有大量全新原装现货和良好的进货渠道,品种齐全,具有特强的能力为各大客户和厂商进行综合性电子元器件配套服务。 公司经营产品广泛:存储IC、通讯IC、驱动IC、放大IC、内存、闪存、等IC集成电路。开关管、PIN管、整流管、肖特基管、变容管、稳压管、高频管、音频管、射频管、场效应管、达林顿管、复合管、带阻管、闸流管、微波管、大小中功率管等系列贴片二、三极管。钽电容、电容、电阻、电感、磁珠、发光管等各系列贴片电子元件。 经营品牌:MITSUMI、FUJITSU、ATMEL.RICOH、NEC、SII、ON、AGAMEM、PIXEL、ROHM、JRC、 PHILIPS、INFINEON、 TDK、FA...