品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | 104/275V,224/275V,374/275V |
介质材料 | 有机薄膜 | 应用范围 | 调谐 |
外形 | 方块状 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 超高频 | 调节方式 | 固定 |
引线类型 | 轴向引出线 | 允许偏差 | ±5(%) |
耐压值 | 275(V) | 等效串联电阻(ESR) | //(mΩ) |
标称容量 | /(uF) | 损耗 | / |
额定电压 | /(V) | 绝缘电阻 | /(mΩ) |
温度系数 | / |
现货供应各种规格安规电容器,欢迎订购0.1UF/275V 脚距10MM 环保
供应安规电容275V/0.1UF
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品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXGH50N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HI-REL/高可靠性 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 600(V) 低频跨导 0.018(μS) 极间电容 3900(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 75(mA) 耗散功率 400(mW) IXGH50N60供应场效应管IXGH50N60供应场效应管IXGH50N60供应场效应管IXGH50N60 供应场效应管IXGH50N60供应场效应管IXGH50N60供应场效应管IXGH50N60供应场效应管IXGH50N60供应...
品牌/商标 TOS 型号/规格 K1120,2SK1120 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 本产品为拆机件,长年供应拆机,散新电源管,开关,功率三极管,场效应管和电源,充电器配件,包装方式有管装盒装,欢迎新老客户咨询与订购,保质保量.电话:0754-82331186。QQ:728429602,手机15989726056