1.基于计算机显示
2.多种器件的多种曲线
3.数据点是可控的
4.增量可以是线性或对数
5.可控的关断时间,以减小器件发热
6.可保存和调用曲线程序
7.保存和调用先前捕获的曲线图片
8.自动存储数据到EXCEL
9.预置电压和电流限制器件损坏和发热
10.存储/调用测试程序
11.多样的连续曲线
12.在测试程序中的电流限制
13.使用方便
①选择曲线②输入范围③按下启动
14.使用ATE系统生成曲线
二、谊邦电子YB6600半导体管特性图示仪范围
电压
2000V
20V
电流
50A(100A可选)
10A
分辨率
1MV
0.1NA
0.1毫欧的导通电阻
三、谊邦电子YB6600半导体管特性图示仪可实现曲线
1、Mosfet(N-Channel&P-Channel)(金属-氧化物-半导体场效应管)
ID vs VDS(在VGS范围内)
ID vs VGS(在一个固定的ID)
IS vs VSD
RDS vs VGS(在一个固定的VDS)
RDS vs ID(在VGS范围内)
2、Transisitor(晶体管)
HFE vs IC
BVCE(O.S.R.V)vs IC
BVEBO vs IE
BVCBO vs IC
VCE(SAT)(在的IC/IB比率)
VCE(SAT)vs IB(在IC的范围内)
VBE(SAT)vs IB(在的IC/IB比率)
VBE(ON)vs IC(在的VCE)
3、IGBT(N-Channel&P-Channel)(缘栅双晶体管)
IC vs VCE(在VGE范围内)
IC vs VGE(在的VCE)
IC vs VCE
IF vs VF
4、DIODE(二管)
IF vs VF
IR vs VR
5、ZENER(稳压管)
IF vs VF
IR vs VR
6、TRIAC(双向可控硅)
IT vs VT(+/-)(在一个固定的IG)
7、SCR(单项可控硅)
IT vs VTM(在一个固定的IG)
8、SSVOP(固态过压保护器)
IT vs VT(+/-)(在一个固定的IBO)
9、SIDAC(高压触发二管)
IT vs VT(+/-)(在一个固定的IBO)
10、DIAC(双向触发二管)
ID vs VF(+/-)
11、REGULATOR(稳压器)
Electronic Load vs V OUT(在一个固定电流)
12、J-FET((N-Channel&P-Channel))(结型场效应管)
ID(OFF)vs VDS(在VGS范围内)
ID(OFF)vs VGS(在一个固定的VDS)
ID(ON)vs VDS(在VGS范围内)
ID(ON)vs VGS(在一个固定的VDS)
13、Curve Tracer Mode Only(曲线跟踪模式)
IC vs VCE(在一个固定的IB)