电子IGBT测试仪

　　主电压：2000V，
　　主电流：50A　加选件可扩展到：400A，500A，800　A，1000　A，1250A.（用户自选）
　　控制电压：20V　加选件可扩展到：80V
　　控制电流：10A　加选件可扩展到：40A
　　电压分辨率：1mV
　　电流分辨率：1nA（加YB550分辨率为10pA
　　测试速度：1mS/参数（本系统采用填入式编程方法，专为国内用户开发）
　　
　　可测试参数：
　　
　　缘栅双大功率晶体管IGBT
　　IC；IGF；IGR；BVC；VGETH；VCAT；ICON；VGEON；VF；GFS
　　
　　晶体管　TRANSISTOR
　　ICBO；ICEO；ICER；IC；ICEV；IEBO；BVCEO（电流大于10mA，脉冲宽度300us）；BVCBO；BVEBO；hFE；VCAT；VBAT；VBE（VBEON）；RE（间接参数）；
　　
　　J型场效应管J-FET
　　IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；IDSON；RDSON；GFS；VGSOFF
　　
　　MOS场效应管　MOS-FET
　　IDSS；IDSV；IGSSF；IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF（VSD）、IDON；VGSON；RDSON；GFS
　　
　　双向可控硅开关器件（双向晶闸管）TRIAC
　　IDRM；IRRM；IGKO；；VD＋；VD-；BVGKO；VT＋；VT-；IGT；VGT；IL＋；IL-；IH＋；IH-
　　
　　单向可控硅整流器（普通晶闸管）SCR
　　IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH