YB6600半导体曲线跟踪仪用于研究所、院校、企业、电子产品厂家等测试半导体分立器件的直流参数，绘制曲线进行分析。
YB6600半导体曲线跟踪仪测试方法合以下国际/标准和技术规范要求：
《JJF 1236-2010半导体管图示仪校准规范》和《G 128A-1997半导体分立器件试验方法》一、测试指标
A-K 间加压范围：±2.500mV--2000V
A-K 间测流范围：±100pA--49.90A
A-K 间加流范围：±100nA--49.90A
A-K 间测压范围：±2.500mV--2000V
G-K 间加压范围：±2.500mV--20V
G-K 间测流范围：±100pA--10A
G-K 间加流范围：±100nA--10A
G-K 间测压范围：±2.500mV--20V
A-K 间加/测压：1%＋10mV
A-K 间加/测流：1%＋10nA＋20pA/V
G-K 间加/测压：1%＋5mV
G-K 间加/测流：1%＋10nA＋20pA/V
电参数测试重复性：2%
电压分辨率：1mV
电流分辨率：1nA
二、可实现的曲线
1、Mosfet（N-Channel＆P-Channel）（金属-氧化物-半导体场效应管）
ID vs VDS（在VGS范围内）
ID vs VGS（在一个固定的ID）
IS vs VSD
RDS vs VGS（在一个固定的VDS）
RDS vs ID（在VGS范围内）
2、Transisitor（晶体管）
HFE vs IC
BVCE（O.S.R.V）vs IC
BVEBO vs IE
BVCBO vs IC
VCE（SAT）（在的IC/IB比率）
VCE（SAT）vs IB（在IC的范围内）
VBE（SAT）vs IB（在的IC/IB比率）
VBE（ON）vs IC（在的VCE）
3、IGBT（N-Channel＆P-Channel）（缘栅双晶体管）
IC vs VCE（在VGE范围内）
IC vs VGE（在的VCE）
IC vs VCE
IF vs VF
4、DIODE（二管）
IF vs VF
IR vs VR
5、ZENER（稳压管）
IF vs VF
IR vs VR
6、TRIAC（双向可控硅）
IT vs VT（＋/-）（在一个固定的IG）
7、SCR（单项可控硅）
IT vs VTM（在一个固定的IG）
8、SSVOP（固态过压保护器）
IT vs VT（＋/-）（在一个固定的IBO）
9、SIDAC（高压触发二管）
IT vs VT（＋/-）（在一个固定的IBO）
10、DIAC（双向触发二管）
ID vs VF（＋/-）
11、REGULATOR（稳压器）
Electronic Load vs V OUT（在一个固定电流）
12、J-FET（（N-Channel＆P-Channel））（结型场效应管）
ID（OFF）vs VDS（在VGS范围内）
ID（OFF）vs VGS（在一个固定的VDS）
ID（ON）vs VDS（在VGS范围内）
ID（ON）vs VGS（在一个固定的VDS）
13、Curve Tracer Mode Only（曲线跟踪模式）
IC vs VCE（在一个固定的IB）
YB6600半导体曲线跟踪仪测试方法合以下国际/标准和技术规范要求：
《JJF 1236-2010半导体管图示仪校准规范》和《G 128A-1997半导体分立器件试验方法》一、测试指标
A-K 间加压范围：±2.500mV--2000V
A-K 间测流范围：±100pA--49.90A
A-K 间加流范围：±100nA--49.90A
A-K 间测压范围：±2.500mV--2000V
G-K 间加压范围：±2.500mV--20V
G-K 间测流范围：±100pA--10A
G-K 间加流范围：±100nA--10A
G-K 间测压范围：±2.500mV--20V
A-K 间加/测压：1%＋10mV
A-K 间加/测流：1%＋10nA＋20pA/V
G-K 间加/测压：1%＋5mV
G-K 间加/测流：1%＋10nA＋20pA/V
电参数测试重复性：2%
电压分辨率：1mV
电流分辨率：1nA
二、可实现的曲线
1、Mosfet（N-Channel＆P-Channel）（金属-氧化物-半导体场效应管）
ID vs VDS（在VGS范围内）
ID vs VGS（在一个固定的ID）
IS vs VSD
RDS vs VGS（在一个固定的VDS）
RDS vs ID（在VGS范围内）
2、Transisitor（晶体管）
HFE vs IC
BVCE（O.S.R.V）vs IC
BVEBO vs IE
BVCBO vs IC
VCE（SAT）（在的IC/IB比率）
VCE（SAT）vs IB（在IC的范围内）
VBE（SAT）vs IB（在的IC/IB比率）
VBE（ON）vs IC（在的VCE）
3、IGBT（N-Channel＆P-Channel）（缘栅双晶体管）
IC vs VCE（在VGE范围内）
IC vs VGE（在的VCE）
IC vs VCE
IF vs VF
4、DIODE（二管）
IF vs VF
IR vs VR
5、ZENER（稳压管）
IF vs VF
IR vs VR
6、TRIAC（双向可控硅）
IT vs VT（＋/-）（在一个固定的IG）
7、SCR（单项可控硅）
IT vs VTM（在一个固定的IG）
8、SSVOP（固态过压保护器）
IT vs VT（＋/-）（在一个固定的IBO）
9、SIDAC（高压触发二管）
IT vs VT（＋/-）（在一个固定的IBO）
10、DIAC（双向触发二管）
ID vs VF（＋/-）
11、REGULATOR（稳压器）
Electronic Load vs V OUT（在一个固定电流）
12、J-FET（（N-Channel＆P-Channel））（结型场效应管）
ID（OFF）vs VDS（在VGS范围内）
ID（OFF）vs VGS（在一个固定的VDS）
ID（ON）vs VDS（在VGS范围内）
ID（ON）vs VGS（在一个固定的VDS）
13、Curve Tracer Mode Only（曲线跟踪模式）
IC vs VCE（在一个固定的IB）
