大功率IGBT全参数自动测试系统
我公司科研人员经过连续技术攻关，在原有YB6500高端半导体分立器件自动测试系统基础上，自行研发出国内台IGBT测试仪，圆满解决了功率IGBT等新型半导体器件的全参数测试难题，填补了国内在半导体自动测试领域的空白，该项产品综合技术指标国际水平。
目前我公司提供的该项新产品采用模块式功放结构，主电流400A/500A/1000A/1250A可选，2500A/5000A选项可以根据用户需要定制。
该产品可测IGBT参数包括了IC，BVC，IGF，IGR，VGETH，VGEON，VCAT，ICON，VF，GFS，r CE等全直流参数，小电流指标1%重复测试，大电流指标0.5%以内重复测试，目前国外同类产品水平。
（1）需要YB550选件
（2）需要栅80V选件
该产品可针对目前封装的多单元IGBT特征，根据用户需要提供4/8/20单元扫描测试适配器，从而实现多单元封装器件的性全参数测试。与测试系统相比，该产品可同时对各种功率的其它10-18多类半导体分立器件进行全参数测试，具有更高的使用效率。与国外同类产品相比，该产品具有更高的性能价格比和国外厂家不能做到的优质售后服务。
我公司科研人员经过连续技术攻关，在原有YB6500高端半导体分立器件自动测试系统基础上，自行研发出国内台IGBT测试仪，圆满解决了功率IGBT等新型半导体器件的全参数测试难题，填补了国内在半导体自动测试领域的空白，该项产品综合技术指标国际水平。
目前我公司提供的该项新产品采用模块式功放结构，主电流400A/500A/1000A/1250A可选，2500A/5000A选项可以根据用户需要定制。
该产品可测IGBT参数包括了IC，BVC，IGF，IGR，VGETH，VGEON，VCAT，ICON，VF，GFS，r CE等全直流参数，小电流指标1%重复测试，大电流指标0.5%以内重复测试，目前国外同类产品水平。
（1）需要YB550选件
（2）需要栅80V选件
该产品可针对目前封装的多单元IGBT特征，根据用户需要提供4/8/20单元扫描测试适配器，从而实现多单元封装器件的性全参数测试。与测试系统相比，该产品可同时对各种功率的其它10-18多类半导体分立器件进行全参数测试，具有更高的使用效率。与国外同类产品相比，该产品具有更高的性能价格比和国外厂家不能做到的优质售后服务。
其他说明
| 电参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | |
|
IC IGF IGR |
0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)(2) |
100nA(100pA)(1) - 50mA 100nA(100pA)(1)- 3A |
1nA(50pA)(1) |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)(1) |
| BVC |
0.1V-1000V- 1400V - 1600V |
100μA - 200mA -100mA -50mA |
5mV | 1%+100mV |
| VGETH | 0.10V- 20.0V(80V)(2) | 100nA- 3A | 5mV | 1%+10mV |
|
VCAT ICON VGEON VF GFS(混合参数) |
VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE,VF: 0.10V - 9.99V |
IC: 10μA-1250A - 1250A IGE,IF: 100nA - 10A |
5mV |
V: 1%+10mV IC,IF: 1%+100nA IGE: 1%+5nA |
