氧化扩散炉（生产型）

　　产品应用：应用于集成电路、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池等领域，适用2～8英寸工艺尺寸
　　
　　产品特点：
　　◆主机为水平一至四管炉系统构架，完成不同的工艺或相同工艺
　　◆工业计算机控制系统，对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制
　　◆采用悬臂送片器：操作方便、无摩擦污染等
　　◆关键部件均采用，设备的高性
　　◆工艺管路采用阀门管件组成-气密性好、耐腐蚀、无污染（管路均采用EP级电抛光管路），流量控制采用质量流量计（MFC）
　　◆控温高，温区控温稳定性好；
　　◆具有断电报警、温报警、限温报警等多种保护功能
　　◆高质量的加热炉体，恒温区的高稳定性及长寿命
　　
　　主要技术指标
　　1、工艺说明
　　1.1氧化：干氧工艺，湿氧工艺（去离子水、氢氧合成-内／外点火）
　　1.2扩散：硼扩、磷扩（液态源、固态源等）
　　1.3合金、退火等工艺
　　
　　2、系统组成：主机（加热体、石英／SiC管、功率组件等）、自动送片（悬臂-SiC）净化工作台、气路气源系统（气源柜）、计算机控系统等组成
　　3、控制方式：手动送片／自动送片
　　
　　4、配置（可选）：
　　4.1仪表控制／计算机控制
　　4.2工艺管（水平结构）：1-4管
　　4.3工艺规格：2～6英寸晶圆或125mm×125mm、156mm×156mm太阳能电池片（工艺腔体为石英或碳化硅）
　　4.4恒温度：1100mm／800mm／600mm／450mm
　　4.5晶圆装载：悬臂式，刚玉／碳化硅杆，碳化硅桨
　　4.6工作台：有净化／无净化
　　4.7工艺气路：对应的工艺气路，气路阀门组件采用国际优质品牌产品（如SWAGELOK、PARK、SANDVIK、CARDINAL等等），MFC国际优质（如MKS、UNIT、STEC等）或国产优质
　　
　　5、主要技术参数：
　　5.1工作温度：200～1300℃
　　5.2加热体控制点：3／5点
　　5.3炉体恒温区：450mm／600mm／800mm／1100mm
　　5.4恒温区：＞800℃／&plun;0.5℃，＜800℃／&plun;1℃
　　5.5单点温度稳定性：600～1300℃／&plun;0.5℃／24h
　　5.6可控升温速度：15℃／min
　　5.7降温速度：5℃／min（900～1300℃）
　　5.8供电：三相四线，380VAC／50Hz
　　
　　6、结构尺寸：
　　6.1 结构：水平扩散炉