- 隔离电压:(V)
- 工作温度:(℃)
- 测量范围:——(mm)
- 额定功率:——(W)
- 等级:
- 负载电阻:≤(KΩ)或≥(KΩ)
- 匝数比::
- 效率:(%)
- 线性度:(%)
- 输出电流:——(A)
- 输入电流:——(A)
- 频率特性:
RTM660C无接触式硅片厚度电阻率测试系统
RTM660C采用高的厚度及电阻率探头,配以强大的软件控制,可以用多种方式进行无接触式测量,使得测试过程变得十分高效。系统采用一体化设计,结构紧凑,安装方便。使用者在操作平台上转动硅片,测试数据可即时显示,并可对测试数据进行分析处理。高电容式厚度探头和电涡流式电阻率探头,保证测试结果且稳定。RTM660C可广泛使用于研究、生产及质检等场所,友好的人机交互界面,使用相当便捷。
技术参数 ? ? ■ 硅片规格:?????方片125x125mm、156x156mm
?????圆片3″、4″、5″、6″、8″
■ 测试功能
?????厚度:单点及多点厚度
?????TTV:总厚度偏差
?????体电阻率:单点及多点体电阻率
■ 测试指标
?????厚度范围:150~1000μm
?????测量误差:≤±1.0μm
?????重复性:≤±0.20μm
?????TTV范围:0.00μm~200.00μm
?????测量误差:≤±0.50μm
?????重复性:≤±0.20μm
?????体电阻率范围:0.1Ω.cm~30.0Ω.cm
?????测量误差:≤±3%
?????重复性:≤1.5%
■ 设备尺寸/重量:470mm(L)x420mm(W)x600mm(H)/20Kg
■ 测试环境要求:温度范围15~27℃
■ 湿度范围:35%~85%
■ 电源要求:220VAC,50Hz
■ 控制器:高性能主机