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无接触硅片厚度电阻率测试仪

产品价格：: 电议

产品型号：: RTM660C

供应商等级：: 免企业未认证

经营模式：: 工厂

企业名称：: 北京羲和阳光科技发展有限公司

所属地区：: 北京市

发布时间：: 2013/7/3 14:48:05

+86-010-60290891 18618315708

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企业档案

北京羲和阳光科技发展有限公司

免企业未认证证营业执照未上传

经营模式：工厂

所在地：北京市

主营产品：少子寿命测试仪,硅锭探伤仪,硅料分选仪,硅片自动41点精密测,手动硅片测厚仪,碳氧含量测试仪,硅片表面线痕测试仪,硅料检测分选仪,太阳能级硅少子寿命测,硅棒、硅锭探伤仪,光伏检测显微镜,薄膜方块电阻测试仪,手持式电阻率测试仪,便携式硅料分选仪,钨钢探针,全自动硅片测厚

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品牌/商标：-

RTM660C无接触式硅片厚度电阻率测试系统

RTM660C采用高的厚度及电阻率探头，配以强大的软件控制，可以用多种方式进行无接触式测量，使得测试过程变得十分高效。系统采用一体化设计，结构紧凑，安装方便。使用者在操作平台上转动硅片，测试数据可即时显示，并可对测试数据进行分析处理。高电容式厚度探头和电涡流式电阻率探头，保证测试结果且稳定。RTM660C可广泛使用于研究、生产及质检等场所，友好的人机交互界面，使用相当便捷。

技术参数

■ 硅片规格：
     方片125x125mm、156x156mm
     圆片3″、4″、5″、6″、8″
■ 测试功能
     厚度：单点及多点厚度
     TTV：总厚度偏差
     体电阻率：单点及多点体电阻率
■ 测试指标
     厚度范围：150～1000μm
     测量误差：≤±1.0μm
     重复性：≤±0.20μm
     TTV范围：0.00μm～200.00μm
     测量误差：≤±0.50μm
     重复性：≤±0.20μm
     体电阻率范围：0.1Ω.cm~30.0Ω.cm
     测量误差：≤±3%
     重复性：≤1.5%
■ 设备尺寸/重量：470mm(L)x420mm(W)x600mm(H)/20Kg
■ 测试环境要求：温度范围15～27℃
■ 湿度范围：35%～85%
■ 电源要求：220VAC,50Hz
■ 控制器：高性能主机

联系方式

北京羲和阳光科技发展有限公司

联系人：: 包经理女士

手机：: 18618315708

传真：: 010-60290891

所在地：: 北京市

类型：: 工厂

地址：: 北京大兴区西红门路26号明珠商务7A-306

服务热线

+86-010-60290891

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