FNK4805|MOSFET提供具有低电阻包极低的RDS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4805 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SO-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。
MOSFET概述
结合先进FNK4805沟槽MOSFET技术提供具有低电阻包极低的RDS（ON）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
MOSFET的产品综述
VDS -30V
ID（VGS=-10V） - 7.5A
RDS（ON）（VGS=-10V） <23MW
RDS（ON）（在V=-4.5V） <35MW
100%UIS测试
100%的Rg测试
MOSFET的概述
从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
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FNK4805|MOSFET适合用于负载开关和电池保护应用
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 MOSFET概述 结合先进FNK4805沟槽MOSFET技术提供具有低电阻包极低的RDS（ON）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 MOSFET的产品综述 VDS -30V ID（VGS=-10V） - 7.5A RDS（ON）（VGS=-10V） <23MW RDS（ON）（在V=-4.5V） <35MW 100%UIS测试 100%的Rg测试 MOSFET的介绍 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
FNK10N25SC|MOS管先进沟道工艺技术
信息内容：乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 参数说明： 箱体：TSSOP-8封装 终端：信息每焊MIL-STD-750, 方法2026 高温焊接保证： 在码头250°C/10秒 安装位置：任意 重量：0.5g 特点 ●先进沟道工艺技术 ●高密度电池设计超低 导通电阻 ●专为锂离子电池组使用 ●专为电池开关应用 MOSFET的电路符号 常用于MOSFET的电路符号有很多种变化，最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）。
