FNK4805|MOS管FNK4805
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4805 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SO-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。
MOS管的概述
结合先进FNK4805沟槽MOSFET技术提供具有低电阻包极低的RDS（ON）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
MOS管的产品综述
VDS -30V
ID（VGS=-10V） - 7.5A
RDS（ON）（VGS=-10V） <23MW
RDS（ON）（在V=-4.5V） <35MW
100%UIS测试
100%的Rg测试
MOS管的简介
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片。而P沟道常见的为低压Mos管。
场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
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FNK4805|MOSFET提供具有低电阻包极低的RDS
信息内容：乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 MOSFET概述 结合先进FNK4805沟槽MOSFET技术提供具有低电阻包极低的RDS（ON）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 MOSFET的产品综述 VDS -30V ID（VGS=-10V） - 7.5A RDS（ON）（VGS=-10V） <23MW RDS（ON）（在V=-4.5V） <35MW 100%UIS测试 100%的Rg测试 MOSFET的概述 从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
FNK4805|MOSFET适合用于负载开关和电池保护应用
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 MOSFET概述 结合先进FNK4805沟槽MOSFET技术提供具有低电阻包极低的RDS（ON）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。 MOSFET的产品综述 VDS -30V ID（VGS=-10V） - 7.5A RDS（ON）（VGS=-10V） <23MW RDS（ON）（在V=-4.5V） <35MW 100%UIS测试 100%的Rg测试 MOSFET的介绍 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
