P沟道结型场效应管 JFET-P SST175-T1 代码S5H 良好的频率响应 低插入损耗 sot23
| 价 格： | 0.78 | |
| 型号/规格： | SST175-T1 | |
| 品牌/商标： | VISHAY(威世) | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 小功率 | |
| 源漏极击穿电压V(BR)DS： | 30V | |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS： | 30V | |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS： | －7.0~－70.0mA | |
| 关断电压Vgs(off)： | 3.0~6.0V | |
| 耗散功率Pd： | 0.35W |
友情提示：由于我司产品各类型产品型号较多，无法一一列出，客户朋友可上我司网站查询或直接电联我司业务人员
dzsc/19/4077/19407774.jpg【产品展示图】
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dzsc/19/4077/19407774.jpg【产品参数】
| 型号 | 丝印 | 厂家 | 一级分类 | 二级分类 | 三级分类 | 源漏极击穿电压V(BR)DS | 栅源极击穿电压V(BR)GS | 漏极电流(Vgs=0V)IDSS | 关断电压Vgs(off) | 耗散功率Pd | 封装Package/Case |
| SST175-T1 | S5H | VISHAY | 场效应管 | 结型（JFET）-P沟道 | 30 V | 30 V | －7.0~－70.0mA | 3.0~6.0V | 350mW | SOT-23 | |
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dzsc/19/4077/19407774.jpg【交易说明】
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dzsc/19/4077/19407774.jpg【品质保证】
我司郑重承诺所售产品均为全新原装；
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dzsc/19/4077/19407774.jpg【竭诚服务】
我司有工程师和技术人员，可根据客户的需求，为客户提供的技术支持，如元器件丝印(Marking)的查询、同类元器件的替换和电路板上未知的元器件认定，可根据客户的设计要求选定参数、性能最匹配的元器件,同时可根据客户提供的丝印、标记、打字、代码反查询产品型号等等。
爱瑞凯电子科技有限公司是一家电子元器件供应商和经销商，公司成立至今,本着“诚信为本，互惠互利”的双赢原则，广拓渠道，与各品牌公司建立了良好的合作关系，获得好的价格优势，为本公司的发展奠定了坚实的基础，本着“品质为本”的销售理念，在同行业贸易商和生产商中留下良好的口碑—“在爱瑞凯买的就是放心”。
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P沟道结型场效应管 2SJ163-Q 4MQ 通用开关 低导通电阻 低噪声特性 sot23
信息内容：友情提示：由于我司产品各类型产品型号较多，无法一一列出，客户朋友可上我司官方网站查询或直接电联我司业务人员 dzsc/19/4077/19407796.jpg【产品展示图】 ----------------------------------------------------------------------------------------------------- dzsc/19/4077/19407796.jpg【产品参数】 型号 丝印 厂家 一级分类 二级分类 三级分类 源漏极击穿电压V(BR)DS 栅源极击穿电压V(BR)GS 漏极电流(Vgs=0V)IDSS 关断电压Vgs(off) 耗散功率Pd 封装Package/Case 2SJ163-Q 4MQ Panasonic 场效应管 结型（JFET）-P沟道 65 V 65 V －1.0~－3.0mA 1.5~3.5V 1...
MOSFET-N沟道 MOS场效应管 SSM4K27CT 丝印SA cst4 小型封装 低导通电阻
信息内容：友情提示：由于我司产品各类型产品型号较多，无法一一列出，客户朋友可上我司官方网站查询或直接电联我司业务人员 dzsc/19/4078/19407817.jpg【产品展示图】 ----------------------------------------------------------------------------------------------------- dzsc/19/4078/19407817.jpg【产品参数】 型号 丝印 厂家 一级分类 二级分类 三级分类 源漏极电压Vds 栅源极电压Vgs(±) 漏极电流Id 源漏极导通电阻Ωds 开启电压Vgs（th） 耗散功率Pd 封装Package/Case SSM4K27CT SA TOSHIBA 场效应管 MOSFET-N沟道 20V 12V 500mA 0.205R @250mA,4V ...
