供应 IR牌子 场效应管IRF7313TRPbF 原装 假一罚十
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF7313TRPbF | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 漏源极电压： | 30V | |
| 电流 - 连续漏极： | 6.5A | |
| 功率： | 2W |
数据列表 | IRF7313TRPbF |
产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -阵列 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | 2个N沟道（双） |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 6.5A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 29毫欧@ 5.8A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 1V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 25V |
功率-值 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） |
供应商器件封装 | 8-SO |
包装 | 带卷(TR) |
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- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 马加鹏
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供应：ST牌子 场效应管STP75NF75 【原装】【ST代理】
信息内容：STP75NF75 场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 80A 电压, Vds: 75V 在电阻RDS（??）: 11mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 300W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012) 封装类型: TO-220 封装类型,替代: SOT-78B 栅极电荷Qg N沟道: 117nC 漏极电流, Id值: 80A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 75V 电压, Vds???型值: 75V 电压, Vgs Rds N沟道: 10V 电压, Vgs: 3V 电压变化率dv/dt: 12V/µs 电流, Idm脉冲: 320A 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 175°C 表面安装器件: Through Hole 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 11mohm 阈值电压, Vgs th: 2V "
供应 IR牌子 场效应管IRFPS3815PBF 【IR代理】【原装】
信息内容：数据列表IRFPS3815PbF产品相片SUPER-247 Pkg标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)150V电流-连续漏极(Id)（25° C时）105A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）15毫欧@ 63A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)390nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)6810pF @ 25V功率-值441W安装类型通孔封装/外壳TO-274AA供应商器件封装SUPER-247（TO-274AA）"
