价 格: | 面议 | |
型号/规格: | IRFP450PBF | |
品牌/商标: | VISHAY | |
封装形式: | TO-247 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 管装 | |
功率特征: | 大功率 |
数据列表:IRFP450PBF
类别:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:14A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:400 毫欧 @ 8.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:2600pF @ 25V
功率 - :190W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247
包装:管件
标准包装:50 类别:分离式半导体产品 家庭:单二极管/整流器 系列:HEXFRED® 二极管类型:标准 电压 - (Vr)():600V 电流 - 平均整流 (Io):8A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)():1.7V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:5μA @ 600V 电容@ Vr, F:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 熔断式,TO-220AC 供应商设备封装:TO-220AC 包装:管件
标准包装:1,000 类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 单 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:850 毫欧 @ 4.8A,10V Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs:63nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1300pF @ 25V 功率 - :125W 供应商设备封装:TO-220AB 包装:管件