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供应POWER MOSFET IRFP450PBF

价 格: 面议
型号/规格:IRFP450PBF
品牌/商标:VISHAY
封装形式:TO-247
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:管装
功率特征:大功率

数据列表:IRFP450PBF

类别:分离式半导体产品

家庭:FET -

系列:-

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

漏极至源极电压(Vdss)500V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 8.4A10V

Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds2600pF @ 25V

功率 - 190W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247

包装:管件

金百泰电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 肖小姐
  • 电话:0755-82734755
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标准包装:50 类别:分离式半导体产品 家庭:单二极管/整流器 系列:HEXFRED® 二极管类型:标准 电压 - (Vr)():600V 电流 - 平均整流 (Io):8A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)():1.7V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:5μA @ 600V 电容@ Vr, F:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 熔断式,TO-220AC 供应商设备封装:TO-220AC 包装:管件

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信息内容:

标准包装:1,000 类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 单 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:850 毫欧 @ 4.8A,10V Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs:63nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1300pF @ 25V 功率 - :125W 供应商设备封装:TO-220AB 包装:管件

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