价 格: | 面议 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IRFPS3815PBF | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
功耗: | 441W | |
电流: | 105A | |
电压: | 150V |
数据列表 | IRFPS3815PbF |
产品相片 | SUPER-247 Pkg |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25° C时) | 105A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On(值) | 15毫欧@ 63A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(值) | 5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 390nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6810pF @ 25V |
功率-值 | 441W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-274AA |
供应商器件封装 | SUPER-247(TO-274AA) |
数据列表IRFP250MPBF产品相片TO-247-3标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)200V电流-连续漏极(Id)(25° C时)30A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)75毫欧@ 18A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)123nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)2159pF @ 25V功率-值214W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC包装管件
场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 2.2A 电压, Vds: 900V 在电阻RDS(上): 7.2ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 85W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 85W 功耗: 85W 封装类型: TO-220 封装类型,替代: SOT-78B 工作温度范围: -55°C到 150°C 漏极电流, Id值: 2.2A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 900V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 8.8A 通态电阻, Rds on: 7.2ohm 阈值电压, Vgs th: 5V