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供应 IR牌子 场效应管IRFPS3815PBF 【IR代理】【原装】

价 格: 面议
材料:GE-N-FET锗N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:IRFPS3815PBF
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
品牌/商标:IR/国际整流器
用途:SW-REG/开关电源
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
功耗:441W
电流:105A
电压:150V

数据列表

IRFPS3815PbF

产品相片

SUPER-247 Pkg

标准包装

25

类别

分立半导体产品

家庭

FET -

系列

HEXFET®

FET类型

MOSFET N通道,金属氧化物

FET功能

标准

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)25° C时)

105A

不同 IdVgs时的 Rds On(值)

15毫欧@ 63A10V

不同Id时的Vgs(th)(值)

5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

390nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6810pF @ 25V

功率-

441W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-274AA

供应商器件封装

SUPER-247TO-274AA

"

深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 马加鹏
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供应 IR牌子 场效应管IRFP250MPBF 【IR代理】【原装】

信息内容:

数据列表IRFP250MPBF产品相片TO-247-3标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)200V电流-连续漏极(Id)(25° C时)30A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)75毫欧@ 18A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)123nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)2159pF @ 25V功率-值214W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC包装管件

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供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP2N90C 【原装】

信息内容:

场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 2.2A 电压, Vds: 900V 在电阻RDS(上): 7.2ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 85W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 85W 功耗: 85W 封装类型: TO-220 封装类型,替代: SOT-78B 工作温度范围: -55°C到 150°C 漏极电流, Id值: 2.2A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 900V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 8.8A 通态电阻, Rds on: 7.2ohm 阈值电压, Vgs th: 5V

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