供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP2N90C 【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQP2N90C | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电流, Id 连续： | 2.2A | |
| 工作温度： | -55°C 到 +150°C | |
| 功耗： | 85W |
- 场效应管MOSFET N TO-220
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 2.2A
- 电压, Vds: 900V
- 在电阻RDS（上）: 7.2ohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 5V
- 功耗, Pd: 85W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 150°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 85W
- 功耗: 85W
- 封装类型: TO-220
- 封装类型,替代: SOT-78B
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 漏极电流, Id值: 2.2A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 900V
- 电压, Vgs: 30V
- 电流, Idm脉冲: 8.8A
- 通态电阻, Rds on: 7.2ohm
- 阈值电压, Vgs th: 5V
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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供应 IR牌子 场效应管IRFP260NPBF 原装 现货 欢迎来电
信息内容：场效???管MOSFET N TO-247AC 200V 49A晶体管极性:N沟道电流, Id连续:50A电压, Vds:200V在电阻RDS（上）:40mohm电压@ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th典型值:4V功耗, Pd:300W工作温度范围:-55°C到 175°C封装类型:TO-247AC针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2012)功率, Pd:300W功耗:300W封装类型:TO-247AC漏极电流, Id值:50A热阻,结至外壳A:0.5°C/W电压Vgs @ Rds on测量:10V电压, Vds典型值:200V电压, Vgs:4V电流, Idm脉冲:200A表面安装器件:Through Hole阈值电压, Vgs th:4V
供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP19N20C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 19A 电压, Vds: 200V 在电阻RDS（上）: 140mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 139W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 139W 功耗: 139W 外宽: 10.67mm 外部长度/高度: 4.83mm 封装类型: TO-220 (SOT-78B) 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 19A 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 19A 通态电阻, Rds on: 170mohm 阈值电压, Vgs th: 4V "
