供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP19N20C 【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQP19N20C | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 外宽： | 10.67mm | |
| 功耗： | 139W | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +150°C |
- 场效应管MOSFET N TO-220
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 19A
- 电压, Vds: 200V
- 在电阻RDS（上）: 140mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 139W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 150°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 139W
- 功耗: 139W
- 外宽: 10.67mm
- 外部长度/高度: 4.83mm
- 封装类型: TO-220 (SOT-78B)
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 19A
- 电压, Vgs: 4V
- 电流, Idm脉冲: 19A
- 通态电阻, Rds on: 170mohm
- 阈值电压, Vgs th: 4V
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 IR牌子 场效应管IRF2805S 原装
信息内容：场效应???MOSFET N D2-PAK 55V 135A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 135A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS（上）: 4.7mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 200W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-263 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 200W 功耗: 200W 封装类型: D2-PAK 封装类型,其它: D2-PAK 工作温度范围: -55°C到 175°C 漏极电流, Id???大值: 135A 热阻,结点至外壳A: 0.75°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 55V 电压, Vds典型值: 55V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 700A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 4.7mohm 阈值电压, Vgs th: 4V
供应 IR牌子 场效应管IRF530NS 原装
信息内容：场效应???MOSFET N D2-PAK 100V 17A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 17A 电压, Vds: 100V 在电阻RDS（上）: 110mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 79W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-263 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) SMD标号: IRF530NS 功率, Pd: 79W 功耗: 79W 功耗(于1平方英寸PCB): 3.8W 封装类型: D2-PAK 封装类型,其它: D2-PAK 工作温度范围: -55°C到 175°C 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 17A 热阻,结点至外壳A: 1.9°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 100V 电压, Vds典型值: 100V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 60A 表面安装器件: SMD 阈值电压, Vgs th: 4V
