价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IRFP260NPBF | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
电流, Id 连续: | 50A | |
工作温度范围: | -55°C 到 +175°C | |
功耗: | 300W |
场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 19A 电压, Vds: 200V 在电阻RDS(上): 140mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 139W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 139W 功耗: 139W 外宽: 10.67mm 外部长度/高度: 4.83mm 封装类型: TO-220 (SOT-78B) 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 19A 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 19A 通态电阻, Rds on: 170mohm 阈值电压, Vgs th: 4V "
场效应???MOSFET N D2-PAK 55V 135A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 135A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS(上): 4.7mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 200W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-263 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 200W 功耗: 200W 封装类型: D2-PAK 封装类型,其它: D2-PAK 工作温度范围: -55°C到 175°C 漏极电流, Id???大值: 135A 热阻,结点至外壳A: 0.75°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 55V 电压, Vds典型值: 55V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 700A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 4.7mohm 阈值电压, Vgs th: 4V