供应 IR牌子 场效应管IRFP250MPBF 【IR代理】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFP250MPBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率： | 214W | |
| 电压： | 200V | |
| 电流： | 30A |
数据列表 | IRFP250MPBF |
产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 30A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 75毫欧@ 18A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 123nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2159pF @ 25V |
功率-值 | 214W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
包装 | 管件 |
- 所属城市：广东 深圳
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供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP2N90C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 2.2A 电压, Vds: 900V 在电阻RDS（上）: 7.2ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 85W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 85W 功耗: 85W 封装类型: TO-220 封装类型,替代: SOT-78B 工作温度范围: -55°C到 150°C 漏极电流, Id值: 2.2A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 900V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 8.8A 通态电阻, Rds on: 7.2ohm 阈值电压, Vgs th: 5V
供应 IR牌子 场效应管IRFP260NPBF 原装 现货 欢迎来电
信息内容：场效???管MOSFET N TO-247AC 200V 49A晶体管极性:N沟道电流, Id连续:50A电压, Vds:200V在电阻RDS（上）:40mohm电压@ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th典型值:4V功耗, Pd:300W工作温度范围:-55°C到 175°C封装类型:TO-247AC针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2012)功率, Pd:300W功耗:300W封装类型:TO-247AC漏极电流, Id值:50A热阻,结至外壳A:0.5°C/W电压Vgs @ Rds on测量:10V电压, Vds典型值:200V电压, Vgs:4V电流, Idm脉冲:200A表面安装器件:Through Hole阈值电压, Vgs th:4V
