供应：ST牌子 场效应管STP75NF75 【原装】【ST代理】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | STP75NF75 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +175°C | |
| 电压： | 75V | |
| 电流： | 80A |
STP75NF75
- 场效应管MOSFET N TO-220
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 80A
- 电压, Vds: 75V
- 在电阻RDS（??）: 11mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 3V
- 功耗, Pd: 300W
- 工作温度范围: -55°C到 175°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
- 封装类型: TO-220
- 封装类型,替代: SOT-78B
- 栅极电荷Qg N沟道: 117nC
- 漏极电流, Id值: 80A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds: 75V
- 电压, Vds???型值: 75V
- 电压, Vgs Rds N沟道: 10V
- 电压, Vgs: 3V
- 电压变化率dv/dt: 12V/µs
- 电流, Idm脉冲: 320A
- 结温, Tj: -55°C
- 结温, Tj: 175°C
- 表面安装器件: Through Hole
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 11mohm
- 阈值电压, Vgs th: 2V
"
深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
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