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现货供应FQP8N80C MOS管/场效应管/IGBT 原装

价 格: 面议
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:FQP8N80C
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
用途:SW-REG/开关电源
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
原装正品:原装正品
封装/规格:TO-220
MOS管/场效应管/IG:N沟道 800V 8A

dzsc/19/2425/19242547.jpg

 

制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:dzsc/19/2425/19242547.jpg 详细信息 
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:800 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏极连续电流:8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.55 Ohms
配置:Single
工作温度: 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB
封装:Tube
下降时间:70 ns 
正向跨导 gFS(值/最小值):5.6 S 
最小工作温度:- 55 C 
功率耗散:178 W 
上升时间:110 ns 
工厂包装数量:50 
典型关闭延迟时间:65 ns 
零件号别名:FQP8N80C

吴锡平
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吴锡平
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信息内容:

dzsc/19/2432/19243255.jpg制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2432/19243255.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:30 V闸/源击穿电压: /- 25 V漏极连续电流:6.5 A电阻汲极/源极 RDS(导通):18.5 mOhms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow封装:Reel下降时间:12 ns 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:1.3 W 上升时间:12 ns 工厂包装数量:2500 典型关闭延迟时间:32 ns 零件号别名:SI4800BDY-E3"

详细内容>>

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信息内容:

dzsc/19/2447/19244773.jpg制造商:NXP产品种类:双向可控硅RoHS:dzsc/19/2447/19244773.jpg 详细信息 不重复通态电流:71 A额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):0.1 mA开启状态电压:1.65 V保持电流(Ih 值):20 mA栅触发电压 (Vgt):1.5 V栅触发电流 (Igt):25 mA安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3封装:Tube 工厂包装数量:50 零件号别名:BT137-600E

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