价 格: | 面议 | |
型号/规格: | SI4800BDY-T1-E3 | |
品牌/商标: | Vishay/威世通 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 | |
原装正品: | 原装正品 | |
封装/规格: | SOP-8 | |
MOS管/场效应管/IG: | N沟道 30V 9A |
dzsc/19/2432/19243255.jpg
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dzsc/19/2447/19244773.jpg制造商:NXP产品种类:双向可控硅RoHS:dzsc/19/2447/19244773.jpg 详细信息 不重复通态电流:71 A额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):0.1 mA开启状态电压:1.65 V保持电流(Ih 值):20 mA栅触发电压 (Vgt):1.5 V栅触发电流 (Igt):25 mA安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3封装:Tube 工厂包装数量:50 零件号别名:BT137-600E
制造商:International RectifierRoHS: 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:55 V闸/源击穿电压:16 V漏极连续电流:17 A电阻汲极/源极 RDS(导通):110 mOhms配置:Single工作温度: 175 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DPAK封装:Reel下降时间:29 ns 栅极电荷 Qg:10 nC 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:38 W 上升时间:74 ns 工厂包装数量:2000 典型关闭延迟时间:20 ns