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现货供应SI4800BDY-T1-E3 MOS管/场效应管/IGBT 原装

价 格: 面议
型号/规格:SI4800BDY-T1-E3
品牌/商标:Vishay/威世通
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:增强型
原装正品:原装正品
封装/规格:SOP-8
MOS管/场效应管/IG:N沟道 30V 9A

dzsc/19/2432/19243255.jpg

制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:dzsc/19/2432/19243255.jpg 详细信息 
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压: /- 25 V
漏极连续电流:6.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):18.5 mOhms
配置:Single
工作温度: 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow
封装:Reel
下降时间:12 ns 
最小工作温度:- 55 C 
功率耗散:1.3 W 
上升时间:12 ns 
工厂包装数量:2500 
典型关闭延迟时间:32 ns 
零件号别名:SI4800BDY-E3
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吴锡平
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吴锡平
  • 电话:
  • 传真:
  • 手机:13713859204
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现货供应NXP(恩智浦) BT137-600E 可控硅(晶闸管) 原装

信息内容:

dzsc/19/2447/19244773.jpg制造商:NXP产品种类:双向可控硅RoHS:dzsc/19/2447/19244773.jpg 详细信息 不重复通态电流:71 A额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):0.1 mA开启状态电压:1.65 V保持电流(Ih 值):20 mA栅触发电压 (Vgt):1.5 V栅触发电流 (Igt):25 mA安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3封装:Tube 工厂包装数量:50 零件号别名:BT137-600E

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现货供应IRLR024NTRPBF/ MOS管/场效应管/IGBT 原装

信息内容:

制造商:International RectifierRoHS: 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:55 V闸/源击穿电压:16 V漏极连续电流:17 A电阻汲极/源极 RDS(导通):110 mOhms配置:Single工作温度: 175 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DPAK封装:Reel下降时间:29 ns 栅极电荷 Qg:10 nC 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:38 W 上升时间:74 ns 工厂包装数量:2000 典型关闭延迟时间:20 ns

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