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现货供应IRLR024NTRPBF/ MOS管/场效应管/IGBT 原装

价 格: 面议
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:IRLR024NTRPBF
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标:IR/国际整流器
用途:L/功率放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装/规格:SOT-252
MOS管/场效应管/I:N沟道 55V 17A

制造商:International Rectifier
RoHS:符合RoHS 详细信息 
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:55 V
闸/源击穿电压:16 V
漏极连续电流:17 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):110 mOhms
配置:Single
工作温度: 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DPAK
封装:Reel
下降时间:29 ns 
栅极电荷 Qg:10 nC 
最小工作温度:- 55 C 
功率耗散:38 W 
上升时间:74 ns 
工厂包装数量:2000 
典型关闭延迟时间:20 ns



 

吴锡平
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
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现货供应FQA11N90C-F109 /MOS管/场效应管/IGBT 原装

信息内容:

dzsc/19/2781/19278134.jpg制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2781/19278134.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:900 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:11 A电阻汲极/源极 RDS(导通):1.4 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-3PN封装:Tube下降时间:85 ns 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:300 W 上升时间:130 ns 工厂包装数量:30 典型关闭延迟时间:130 ns

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现货供应2SK4107FT/ MOS管/场效应管/IGBT 原装

信息内容:

dzsc/19/2784/19278486.jpg 标准包装50类别分立半导体产品FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能标准漏源极电压 (Vdss)500V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)15A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)400 毫欧 @ 7A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)48nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2450pF @ 25V功率 - 值150W安装类型通孔封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3供应商器件封装TO-3P(N)包装散装"

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