价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IRLR024NTRPBF | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | L/功率放大 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装/规格: | SOT-252 | |
MOS管/场效应管/I: | N沟道 55V 17A |
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dzsc/19/2781/19278134.jpg制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2781/19278134.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:900 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:11 A电阻汲极/源极 RDS(导通):1.4 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-3PN封装:Tube下降时间:85 ns 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:300 W 上升时间:130 ns 工厂包装数量:30 典型关闭延迟时间:130 ns
dzsc/19/2784/19278486.jpg 标准包装50类别分立半导体产品FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能标准漏源极电压 (Vdss)500V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)15A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)400 毫欧 @ 7A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)48nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2450pF @ 25V功率 - 值150W安装类型通孔封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3供应商器件封装TO-3P(N)包装散装"