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现货供应NXP(恩智浦) BT137-600E 可控硅(晶闸管) 原装

价 格: 面议
功率特性:中功率
关断速度:普通
极数:三极
额定正向平均电流:8(A)
散热功能:带散热片
频率特性:中频
型号/规格:BT137-600E
封装外形:平板形
反向重复峰值电压:600(V)
品牌/商标:NXP/恩智浦
控制极触发电流:1(mA)
稳定工作电流:8(A)
控制方式:双向
封装材料:金属封装
原装正品:原装正品

dzsc/19/2447/19244773.jpg

制造商:NXP
产品种类:双向可控硅
RoHS:dzsc/19/2447/19244773.jpg 详细信息 
不重复通态电流:71 A
额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V
关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):0.1 mA
开启状态电压:1.65 V
保持电流(Ih 值):20 mA
栅触发电压 (Vgt):1.5 V
栅触发电流 (Igt):25 mA
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB-3
封装:Tube 
工厂包装数量:50 
零件号别名:BT137-600E

吴锡平
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吴锡平
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  • 手机:13713859204
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现货供应IRLR024NTRPBF/ MOS管/场效应管/IGBT 原装

信息内容:

制造商:International RectifierRoHS: 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:55 V闸/源击穿电压:16 V漏极连续电流:17 A电阻汲极/源极 RDS(导通):110 mOhms配置:Single工作温度: 175 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DPAK封装:Reel下降时间:29 ns 栅极电荷 Qg:10 nC 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:38 W 上升时间:74 ns 工厂包装数量:2000 典型关闭延迟时间:20 ns

详细内容>>

现货供应FQA11N90C-F109 /MOS管/场效应管/IGBT 原装

信息内容:

dzsc/19/2781/19278134.jpg制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2781/19278134.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:900 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:11 A电阻汲极/源极 RDS(导通):1.4 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-3PN封装:Tube下降时间:85 ns 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:300 W 上升时间:130 ns 工厂包装数量:30 典型关闭延迟时间:130 ns

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