价 格: | 面议 | |
功率特性: | 中功率 | |
关断速度: | 普通 | |
极数: | 三极 | |
额定正向平均电流: | 8(A) | |
散热功能: | 带散热片 | |
频率特性: | 中频 | |
型号/规格: | BT137-600E | |
封装外形: | 平板形 | |
反向重复峰值电压: | 600(V) | |
品牌/商标: | NXP/恩智浦 | |
控制极触发电流: | 1(mA) | |
稳定工作电流: | 8(A) | |
控制方式: | 双向 | |
封装材料: | 金属封装 | |
原装正品: | 原装正品 |
dzsc/19/2447/19244773.jpg
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制造商:International RectifierRoHS: 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:55 V闸/源击穿电压:16 V漏极连续电流:17 A电阻汲极/源极 RDS(导通):110 mOhms配置:Single工作温度: 175 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DPAK封装:Reel下降时间:29 ns 栅极电荷 Qg:10 nC 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:38 W 上升时间:74 ns 工厂包装数量:2000 典型关闭延迟时间:20 ns
dzsc/19/2781/19278134.jpg制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/2781/19278134.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:900 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:11 A电阻汲极/源极 RDS(导通):1.4 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-3PN封装:Tube下降时间:85 ns 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:300 W 上升时间:130 ns 工厂包装数量:30 典型关闭延迟时间:130 ns