价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IRFB23N20DPBF | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
功耗: | 170W | |
电压: | 200V | |
电流: | 24A |
场效应管MOSFET N TO-247AC 250V 38A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 38A 电压, Vds: 250V 在电阻RDS(上): 75mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 280W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 功率, Pd: 280W 功耗: 280W 封装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 150°C 引脚节距: 5.45mm 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 38A 热阻,结至外壳A: 0.45°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 250V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 150A 表面安装器件: Through Hole
晶体管IGBT TO-247AC 600V 49A晶体管类型:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)集电极直流电流:49A饱和电压, Vce sat:1.8V功耗, Pd:160W电压, Vceo:600V工作温度范围:-55°C到 150°C封装类型:TO-247AC针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2012)上升时间:32ns下降时间:170ns功率, Pd:160W功耗:160W器件标记:IRG4PC40FDPBF封装类型:TO-247AC晶体管数:1晶体管极性:N沟道功耗:160W连续电流, Ic:49A温度@电流测量:25°C满功率温度:25°C电压, Vces:600V电流, Icm脉冲:200A表面安装器件:Through Hole