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供应 IR牌子 场效应管IRFB23N20DPBF 【IR代理】【原装】

价 格: 面议
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:IRFB23N20DPBF
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标:IR/国际整流器
用途:A/宽频带放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
功耗:170W
电压:200V
电流:24A

  •  ???应管MOSFET N TO-220 200V 24A
  •  晶体管极性: N沟道
  •  电流, Id连续: 24A
  •  电压, Vds: 200V
  •  在电阻RDS(上): 100mohm
  •  电压@ Rds测量: 10V
  •  阈值电压, Vgs th典型值: 5.5V
  •  功耗, Pd: 170W
  •  工作温度敏: -55°C
  •  工作温度: 175°C
  •  封装类型: TO-220AB
  •  针脚数: 3
  •  SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  •  功率, Pd: 170W
  •  功耗: 170W
  •  封装类型: TO-220AB
  •  工作温度范围: -55°C 175°C
  •  漏极电流, Id: 24A
  •  热阻,结至外壳A: 0.9°C/W
  •  电压Vgs @ Rds on测量: 10V
  •  电压, Vds典型值: 200V
  •  电压, Vgs: 5.5V
  •  电流, Idm脉冲: 96A
  •  表面安装器件: Through Hole
  •  阈值电压, Vgs th: 5.5V

 

深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 马加鹏
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公司相关产品

供应 VISHAY牌子 场效应管IRFP264PBF 【原装】

信息内容:

场效应管MOSFET N TO-247AC 250V 38A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 38A 电压, Vds: 250V 在电阻RDS(上): 75mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 280W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 功率, Pd: 280W 功耗: 280W 封装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 150°C 引脚节距: 5.45mm 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 38A 热阻,结至外壳A: 0.45°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 250V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 150A 表面安装器件: Through Hole

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供应 IR牌子 IGBT IRG4PC40FDPBF【原装】【优势库存】

信息内容:

晶体管IGBT TO-247AC 600V 49A晶体管类型:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)集电极直流电流:49A饱和电压, Vce sat:1.8V功耗, Pd:160W电压, Vceo:600V工作温度范围:-55°C到 150°C封装类型:TO-247AC针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2012)上升时间:32ns下降时间:170ns功率, Pd:160W功耗:160W器件标记:IRG4PC40FDPBF封装类型:TO-247AC晶体管数:1晶体管极性:N沟道功耗:160W连续电流, Ic:49A温度@电流测量:25°C满功率温度:25°C电压, Vces:600V电流, Icm脉冲:200A表面安装器件:Through Hole

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