供应 VISHAY牌子 场效应管IRFP264PBF 【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFP264PBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | Vishay/威世通 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功耗： | 280W | |
| 电压： | 250V | |
| 电流： | 38A |
- 场效应管MOSFET N TO-247AC 250V 38A
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 38A
- 电压, Vds: 250V
- 在电阻RDS（上）: 75mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 280W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 150°C
- 封装类型: TO-247AC
- 针脚数: 3
- 功率, Pd: 280W
- 功耗: 280W
- 封装类型: TO-247AC
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 引脚节距: 5.45mm
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 38A
- 热阻,结至外壳A: 0.45°C/W
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 250V
- 电压, Vgs: 20V
- 电流, Idm脉冲: 150A
- 表面安装器件: Through Hole
深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 马加鹏
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