供应 IR牌子 场效应管IRFP4668PBF 【IR代理】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFP4668PBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功耗： | 520W | |
| 电流： | 130A | |
| 电压： | 200V |
- ???效应管MOSFET 200V 130A TO-247AC
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 130A
- 电压, Vds: 200V
- 在电阻RDS（上）: 8mohm
- 电压@ Rds测量: 30V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 5V
- 功耗, Pd: 520W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 175°C
- 封装类型: TO-247AC
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功耗: 520W
- 封装类型: TO-247AC
- 工作温度范围: -55°C到 175°C
- 晶体管类型: 功率MOSFET
- 漏极电流, Id值: 130A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 200V
- 电压, Vgs: 5V
- 电流, Idm脉冲: 520A
- 表面安装器件: Through Hole
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- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 马加鹏
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供应：TOSHIBA牌子2SK3878 【原装】【优势代理】
信息内容：2SK3878制造商 Toshiba制造商零件编号 2SK3878(F)描述 MOSFET N-CH 900V 9A TO-3PN对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET型 MOSFET N 通道，金属氧化物FET特点 标准型漏极至源极电压(Vdss) 900V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.3 欧姆 @ 4A, 10VId时的 Vgs(th)（） 4V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds 2200pF @ 25V功率 - 150W安装类型 通孔封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3供应商设备封装 TO-3P(N)
供应：FSC 场效应管： FQA24N50 【全新原装】【优势代理】
信息内容：FQA24N50场效应管MOSFET N TO-3P晶体管极性:N沟道电流, Id连续:24A电压, Vds:500V在电阻RDS（上）:200mohm电压@ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th典型值:5V功耗, Pd:290W封装类型:TO-3P针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)功率, Pd:290W功耗:290W封装类型:TO-3P漏极电流, Id值:24A电压Vgs @ Rds on测量:10V电压, Vds典型值:500V电压, Vgs:5V电流, Idm脉冲:96A结温, Tj:-55°C结温, Tj:150°C 深圳市信科盛电子经营部地址：深圳市福田区中航路与振中路交汇处新亚洲电子商城2期N1A048都 联系方式：业务联系电话：13824389879马先生、13717114091马小姐、业务联系QQ：466741729 QQ:1584381795主要经营：集成电路IC、二三极管、可控硅、电阻电容、开关、桥堆、晶振优势品牌产品系列：1：ATMEL(爱特梅尔)：①：非易失性存储器、②：微控制器、③：成像IC2：IR（国际整流器）： ①：功率MOS管、 ②：IGBT模块 ③：二极管3：ST(意法半导体)： ①：微控制器、 ②：智能卡IC ③：专用存储器4：MICROCHIP（微芯）①：8位PIC单片机 ②：16位PIC单片机 ③：32位PIC单片机5:：Texas Instruments（德州仪器）：①：数字信号处理器 ②：模拟...
