供应 IR牌子 IGBT IRG4PC40FDPBF【原装】【优势库存】
| 价 格： | 面议 | |
| 关断速度： | 高频(快速) | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 极数： | 双极型 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRG4PC40FDPBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装材料： | 陶瓷封装 |
- 晶体管IGBT TO-247AC 600V 49A
- 晶体管类型:绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
- 集电极直流电流:49A
- 饱和电压, Vce sat:1.8V
- 功耗, Pd:160W
- 电压, Vceo:600V
- 工作温度范围:-55°C到 150°C
- 封装类型:TO-247AC
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2012)
- 上升时间:32ns
- 下降时间:170ns
- 功率, Pd:160W
- 功耗:160W
- 器件标记:IRG4PC40FDPBF
- 封装类型:TO-247AC
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N沟道
- 功耗:160W
- 连续电流, Ic:49A
- 温度@电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm脉冲:200A
- 表面安装器件:Through Hole
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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- 传真：
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供应 IR牌子 场效应管IRFP4668PBF 【IR代理】【原装】
信息内容：???效应管MOSFET 200V 130A TO-247AC 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 130A 电压, Vds: 200V 在电阻RDS（上）: 8mohm 电压@ Rds测量: 30V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 520W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功耗: 520W 封装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 175°C 晶体管类型: 功率MOSFET 漏极电流, Id值: 130A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 200V 电压, Vgs: 5V 电流, Idm脉冲: 520A 表面安装器件: Through Hole "
供应：TOSHIBA牌子2SK3878 【原装】【优势代理】
信息内容：2SK3878制造商 Toshiba制造商零件编号 2SK3878(F)描述 MOSFET N-CH 900V 9A TO-3PN对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET型 MOSFET N 通道，金属氧化物FET特点 标准型漏极至源极电压(Vdss) 900V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.3 欧姆 @ 4A, 10VId时的 Vgs(th)（） 4V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds 2200pF @ 25V功率 - 150W安装类型 通孔封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3供应商设备封装 TO-3P(N)
