一、超高频率响应MMA243F系列性能参数
工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V
工作电流 ICC TA = 25°C 14(2) μA
电阻 R TA = 25°C 70(3) kOhm
输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V
偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V
注:
(1) 1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
(2) ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
(3) 电阻值有多种选择,详情请咨询多维科技有限公司。
(4) 偏移电压:角度为零时,传感器输出电压(正余弦模式)。
(5) TCOV:在恒定工作电压下,输出信号随温度变化的百分比。
二、高频率响应MMA243F优势:
体积小
抗干扰能力强
工作温度范围宽(-55℃~125℃)
处理电路简单
测量范围广(1A~100A)
温度特性好(-0.1%/℃)
测量精度高(0.1%/FS)
灵敏度极高(12mV/V/Oe)
三、高频率响应MMA243F特点:
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
超大输出信号,无需信号放大
超低功耗
超高频率响应 >20 MHz
优越的温度稳定性
低磁滞
宽工作电压范围
工作间隙大
极小封装尺寸
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一、(TMR)双轴角度传感器特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超大输出信号,无需信号放大 超低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 低磁滞 宽工作电压范围 工作间隙大 极小封装尺寸 二、(TMR)双轴角度传感器应用介绍: 被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向,被测电流Ip流经的电流线为U形铜导线,两个TMR芯片位于U形电流线的正上方,通过被测电流Ip后,U型线两臂正上方的同一位置产生方向相反、大小相同的磁场强度B。两TMR芯片分别感应U形线两臂产生的磁场B,经过简单的差分电路既可将两TMR芯片的输出信号放大取出,得到最终的输出信号Vout。 性能比较: Hall TMR 灵敏度 0.1mV/V/Oe 12mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃ 是否需要磁环 必须要 不需 三、典型应用: 旋转位置传感器 旋转编码器 非接触式电位器 阀门位置传感器 旋钮传感器 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:0512-56319303 联系人...
一、低磁滞(TMR)双轴角度传感器极限参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 工作磁场 B 2000 Oe(1) ESD (HBM) 4000 V 二、低磁滞(TMR)双轴角度传感器特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超大输出信号,无需信号放大 超低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 低磁滞 宽工作电压范围 工作间隙大 极小封装尺寸 三、低磁滞(TMR)双轴角度传感器概述 在角度传感器的应用场合下,在MMA243F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场,芯片输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。 MMA243F采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计,每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度TMR传感元件,使得其输出信号的峰峰值可达工作电压的80%,从而省去了许多应用中所需要的外部信号放大处理电路。此外,独特的TMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。MMA243F性能优越,采用超小型LGA8封装形式,尺寸仅为3.0 mm 3.0 mm 0.95 mm。 四、低磁滞(TMR)双轴角度传感器应用介绍: 被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向,一个TMR 芯片位于电流线的正上方,被测电流被覆制在PCB板上,被测电流Ip流经电流线,在TMR芯片位置产生...